توضیحات
شرکت ما ارائه میدهدپوشش SiCخدمات را با روش CVD روی سطح گرافیت، سرامیک و سایر مواد پردازش کنید، به طوری که گازهای ویژه حاوی کربن و سیلیکون در دمای بالا واکنش نشان میدهند تا مولکولهای SiC با خلوص بالا به دست آیند، مولکولها روی سطح مواد پوشش داده شده رسوب میکنند و تشکیل یکلایه محافظ SiC.
ویژگیهای اصلی
۱. مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا:
مقاومت در برابر اکسیداسیون حتی در دماهای بالا مانند ۱۶۰۰ درجه سانتیگراد نیز بسیار خوب است.
2. خلوص بالا: ساخته شده توسط رسوب بخار شیمیایی تحت شرایط کلرزنی دمای بالا.
۳. مقاومت در برابر فرسایش: سختی بالا، سطح فشرده، ذرات ریز.
۴. مقاومت در برابر خوردگی: اسید، قلیا، نمک و مواد آلی.
مشخصات اصلی پوشش CVD-SIC
| خواص SiC-CVD | ||
| ساختار کریستالی | فاز β FCC | |
| تراکم | گرم بر سانتیمتر مکعب | ۳.۲۱ |
| سختی | سختی ویکرز | ۲۵۰۰ |
| اندازه دانه | میکرومتر | ۲ تا ۱۰ |
| خلوص شیمیایی | % | ۹۹.۹۹۹۹۵ |
| ظرفیت حرارتی | J·kg-1 ·K-1 | ۶۴۰ |
| دمای تصعید | ℃ | ۲۷۰۰ |
| استحکام خمشی | مگاپاسکال (RT 4 نقطهای) | ۴۱۵ |
| مدول یانگ | میانگین پاسکال (خمش ۴ نقطهای، ۱۳۰۰ درجه سانتیگراد) | ۴۳۰ |
| انبساط حرارتی (CTE) | ۱۰-۶K-۱ | ۴.۵ |
| رسانایی حرارتی | (وات بر متر کلوین) | ۳۰۰ |
تجهیزات
