مقدمهای بر پوشش کاربید سیلیکون
پوشش سیلیکون کاربید (SiC) حاصل از رسوب بخار شیمیایی (CVD) ما، لایهای بسیار بادوام و مقاوم در برابر سایش است که برای محیطهایی که نیاز به مقاومت خوردگی و حرارتی بالا دارند، ایدهآل است.پوشش سیلیکون کاربیداز طریق فرآیند CVD در لایههای نازک روی زیرلایههای مختلف اعمال میشود و ویژگیهای عملکردی برتر را ارائه میدهد.
ویژگیهای کلیدی
● -خلوص استثنایی: دارای ترکیب فوق العاده خالص از۹۹.۹۹۹۹۵٪، ماپوشش SiCخطرات آلودگی را در عملیات نیمههادی حساس به حداقل میرساند.
● مقاومت عالیمقاومت عالی در برابر سایش و خوردگی نشان میدهد و آن را برای محیطهای شیمیایی چالشبرانگیز و پلاسما ایدهآل میکند.
● رسانایی حرارتی بالا: به دلیل خواص حرارتی برجسته، عملکرد قابل اعتمادی را در دماهای بسیار بالا تضمین میکند.
● پایداری ابعادیبه لطف ضریب انبساط حرارتی پایین، یکپارچگی ساختاری را در طیف وسیعی از دما حفظ میکند.
● - سختی افزایش یافته: با درجه سختی۴۰ گیگا پاسکالپوشش SiC ما در برابر ضربه و سایش قابل توجهی مقاومت میکند.
● پرداخت سطحی صاف: یک سطح آینه مانند ایجاد میکند که باعث کاهش تولید ذرات و افزایش راندمان عملیاتی میشود.
کاربردها
سمیسرا پوششهای SiCدر مراحل مختلف تولید نیمههادیها مورد استفاده قرار میگیرند، از جمله:
● -ساخت تراشه LED
● -تولید پلی سیلیکون
● -رشد کریستال نیمه هادی
● -اپیتاکسی سیلیکون و SiC
● -اکسیداسیون و انتشار حرارتی (TO&D)
ما قطعات پوشش داده شده با SiC ساخته شده از گرافیت ایزواستاتیک با استحکام بالا، کربن تقویت شده با الیاف کربن و کاربید سیلیکون تبلور مجدد یافته 4N را که برای راکتورهای بستر سیال طراحی شده اند، عرضه می کنیم.مبدلهای STC-TCS، بازتابندههای واحد CZ، قایق ویفر SiC، پاروی SiC، لوله ویفر SiC و حاملهای ویفر مورد استفاده در فرآیندهای PECVD، اپیتاکسی سیلیکون، MOCVD.
مزایا
● - طول عمر بیشتر: به طور قابل توجهی زمان از کارافتادگی تجهیزات و هزینههای نگهداری را کاهش میدهد و راندمان کلی تولید را افزایش میدهد.
● - کیفیت بهبود یافته: به سطوح با خلوص بالا که برای پردازش نیمههادیها ضروری است، دست مییابد و در نتیجه کیفیت محصول را افزایش میدهد.
● افزایش کارایی: فرآیندهای حرارتی و CVD را بهینه میکند و در نتیجه زمان چرخه کوتاهتر و بازده بالاتر را به همراه دارد.
مشخصات فنی
● ساختار: پلی کریستالین فاز β FCC، عمدتاً جهت گیری شده (111)
● -تراکم: ۳.۲۱ گرم بر سانتیمتر مکعب
● سختیسختی ۲۵۰۰ ویکس (بار ۵۰۰ گرم)
● -چقرمگی شکست: ۳.۰ مگاپاسکال بر متر مربع۱/۲
● ضریب انبساط حرارتی (۱۰۰–۶۰۰ درجه سانتیگراد): ۴.۳ × ۱۰-6k-1
● مدول الاستیک (۱۳۰۰ درجه سانتیگراد):۴۳۵ معدل
● ضخامت معمول فیلم:۱۰۰ میکرومتر
● زبری سطح:۲-۱۰ میکرومتر
دادههای خلوص (اندازهگیری شده توسط طیفسنجی جرمی تخلیه تابشی)
| عنصر | پی پی ام | عنصر | پی پی ام |
| Li | < 0.001 | Cu | < 0.01 |
| Be | < 0.001 | Zn | < 0.05 |
| آل | < 0.04 | Ga | < 0.01 |
| P | < 0.01 | Ge | < 0.05 |
| S | < 0.04 | As | < 0.005 |
| K | < 0.05 | In | < 0.01 |
| Ca | < 0.05 | Sn | < 0.01 |
| Ti | < 0.005 | Sb | < 0.01 |
| V | < 0.001 | W | < 0.05 |
| Cr | < 0.05 | Te | < 0.01 |
| Mn | < 0.005 | Pb | < 0.01 |
| Fe | < 0.05 | Bi | < 0.05 |
| Ni | < 0.01 |
|
