ویژگی

۱۳۱۳۱۳(۱)(۱)

شرکت فناوری نیمه‌هادی سمیسرا، مستقر در نینگبو، استان ژجیانگ، چین، در ژانویه ۲۰۱۸ تأسیس شد. ماموریت ما شکل دادن به آینده از طریق مواد است و چشم‌انداز ما تبدیل شدن به یک شرکت پیشرو در زمینه مواد جدید با فناوری‌های اصلی در حوزه نیمه‌هادی‌ها است. ما در تحقیق و توسعه فناوری‌های پیشرفته مانند پوشش‌های SiC، پوشش‌های Tac، پوشش‌های کربن پیرولیتیک، SiC CVD (SiC جامد) و کاربید سیلیکون تبلور مجدد یافته، که برای صنعت نیمه‌هادی‌ها حیاتی هستند، تخصص داریم. ما همچنین بر تولید انبوه محصولات مواد با خلوص بالا تمرکز داریم.

افتخار و گواهینامه

امکانات و آزمایشگاه‌ها

第5页-44

کوره دمای بالای CVD

زیرلایه‌های پوشش برای اپیتاکسی تراشه LED، اپیتاکسی ویفر سیلیکون، زیرلایه‌ها و اجزای اپیتاکسی نیمه‌هادی نسل سوم، پوشش‌های TaC و موارد دیگر.

کوره تصفیه خلاء

خالص‌سازی عناصر مبتنی بر کربن مانند گرافیت، نمد کربن، پودر گرافیت و کامپوزیت کربن.

کوره گرافیتی افقی

در درجه اول برای عملیات حرارتی مواد کربنی در دمای بالا، مانند تف جوشی و گرافیتی کردن مواد کربنی، گرافیتی کردن فیلم PI، تف جوشی مواد رسانای حرارتی، تف جوشی و گرافیتی کردن طناب‌های فیبر کربنی، گرافیتی کردن رشته‌های فیبر کربنی، خالص‌سازی پودر گرافیت و سایر مواد مناسب برای گرافیتی کردن محیط کربنی استفاده می‌شود.

ماشین‌های سی‌ان‌سی

سال 60
图片 59

تجهیزات تست

图片 58

ابزار چهار پرابه‌ای

图片 61

تجهیزات توسعه و تأیید مواد پوشش

صفحه 51

ابزار تست CTE

图片 53

GDMS

图片 55 (1)

سیمز

مقدمه‌ای بر زنجیره صنعتی اپیتاکسی تراشه نیمه‌هادی

未标题-1

اپیتکسی تراشه IC

نیمه‌هادی نسل سوم