حلقه روکش شده با کاربید تانتالوم

شرح مختصر:

پوشش کاربید تانتالیوم یک فناوری پیشرفته پوشش سطح است که از ماده کاربید تانتالیوم برای تشکیل یک لایه محافظ سخت، مقاوم در برابر سایش و خوردگی روی سطح زیرلایه استفاده می‌کند. این پوشش دارای خواص عالی است که سختی، مقاومت در برابر دمای بالا و مقاومت شیمیایی ماده را به طور قابل توجهی افزایش می‌دهد، در حالی که اصطکاک و سایش را کاهش می‌دهد. پوشش‌های کاربید تانتالیوم به طور گسترده در زمینه‌های مختلف، از جمله تولید صنعتی، هوافضا، مهندسی خودرو و تجهیزات پزشکی، برای افزایش عمر مواد، بهبود راندمان تولید و کاهش هزینه‌های نگهداری استفاده می‌شوند. چه برای محافظت از سطوح فلزی در برابر خوردگی و چه برای افزایش مقاومت در برابر سایش و اکسیداسیون قطعات مکانیکی، پوشش‌های کاربید تانتالیوم یک راه حل قابل اعتماد برای کاربردهای مختلف ارائه می‌دهند.

 


جزئیات محصول

برچسب‌های محصول

شرکت سمیسرا پوشش‌های کاربید تانتالیوم (TaC) مخصوصی را برای قطعات و حامل‌های مختلف ارائه می‌دهد.فرآیند پوشش‌دهی پیشرو Semicera، پوشش‌های کاربید تانتالوم (TaC) را قادر می‌سازد تا به خلوص بالا، پایداری دمایی بالا و تحمل شیمیایی بالا دست یابند و کیفیت محصول کریستال‌های SIC/GAN و لایه‌های EPI را بهبود بخشند.سوسپکتور TaC با پوشش گرافیتی) و افزایش عمر اجزای کلیدی راکتور. استفاده از پوشش کاربید تانتالیوم TaC برای حل مشکل لبه و بهبود کیفیت رشد کریستال است و شرکت سمیسرا (Semicera) با دستیابی به موفقیت در حل فناوری پوشش کاربید تانتالیوم (CVD) به سطح پیشرفته بین‌المللی رسیده است.

 

پس از سال‌ها توسعه، سمیسرا فناوری ... را فتح کرده است.CVD TaCبا تلاش‌های مشترک بخش تحقیق و توسعه. نقص‌ها در فرآیند رشد ویفرهای SiC به راحتی رخ می‌دهند، اما پس از استفادهتا سی، تفاوت قابل توجه است. در زیر مقایسه‌ای از ویفرهای دارای TaC و بدون آن، و همچنین قطعات Simicera برای رشد تک بلور آمده است.

微信图片_20240227150045

با و بدون TaC

微信图片_20240227150053

بعد از استفاده از TaC (راست)

علاوه بر این، عمر مفید محصولات پوشش TaC شرکت Semicera طولانی‌تر و در برابر دمای بالا مقاوم‌تر از پوشش SiC است. پس از مدت‌ها داده‌های اندازه‌گیری آزمایشگاهی، TaC ما می‌تواند برای مدت طولانی در حداکثر دمای ۲۳۰۰ درجه سانتیگراد کار کند. در زیر برخی از نمونه‌های ما آمده است:

微信截图_20240227145010

(الف) نمودار شماتیک دستگاه رشد شمش تک کریستال SiC با روش PVT (ب) براکت بذر روکش شده با TaC (شامل بذر SiC) (ج) حلقه راهنمای گرافیتی روکش شده با TAC

ZDFVzCFV
ویژگی اصلی
محل کار سمیسرا
محل کار سمیسرا ۲
دستگاه تجهیزات
پردازش CNN، تمیزکاری شیمیایی، پوشش CVD
خدمات ما

  • قبلی:
  • بعدی: