قایق ویفر SiC
قایق ویفر کاربید سیلیکونیک وسیله تحمل بار برای ویفرها است که عمدتاً در فرآیندهای انتشار خورشیدی و نیمههادی استفاده میشود. این وسیله دارای ویژگیهایی مانند مقاومت در برابر سایش، مقاومت در برابر خوردگی، مقاومت در برابر ضربه در دمای بالا، مقاومت در برابر بمباران پلاسما، ظرفیت تحمل دمای بالا، رسانایی حرارتی بالا، اتلاف حرارت بالا و استفاده طولانی مدت است که به راحتی خم و تغییر شکل نمیدهد. شرکت ما از مواد کاربید سیلیکون با خلوص بالا برای تضمین عمر مفید استفاده میکند و طرحهای سفارشی، از جمله طرحهای مختلف عمودی و افقی را ارائه میدهد.قایق ویفری.
پد SiC
دست و پارویی کنسول کاربید سیلیکونعمدتاً در پوشش (نفوذی) ویفرهای سیلیکونی استفاده میشود که نقش مهمی در بارگیری و حمل و نقل ویفرهای سیلیکونی در دمای بالا دارد. این یک جزء کلیدی ازویفر نیمههادیسیستمهای بارگیری و دارای ویژگیهای اصلی زیر است:
۱. در محیطهای با دمای بالا تغییر شکل نمیدهد و نیروی بارگذاری بالایی روی ویفرها دارد.
۲. در برابر سرمای شدید و گرمای سریع مقاوم است و عمر طولانی دارد.
۳. ضریب انبساط حرارتی کم است، چرخه نگهداری و تمیز کردن را تا حد زیادی افزایش میدهد و آلایندهها را به میزان قابل توجهی کاهش میدهد.
لوله کوره SiC
لوله فرآیند کاربید سیلیکونساخته شده از SiC با خلوص بالا و بدون ناخالصیهای فلزی، ویفر را آلوده نمیکند و برای فرآیندهایی مانند انتشار نیمههادی و فتوولتائیک، آنیل و فرآیند اکسیداسیون مناسب است.
بازوی ربات SiC
بازوی ربات SiCکه به عنوان عامل انتهایی انتقال ویفر نیز شناخته میشود، یک بازوی رباتیک است که برای انتقال ویفرهای نیمههادی استفاده میشود و به طور گسترده در صنایع نیمههادی، اپتوالکترونیک و انرژی خورشیدی مورد استفاده قرار میگیرد. با استفاده از کاربید سیلیکون با خلوص بالا، با سختی بالا، مقاومت در برابر سایش، مقاومت در برابر لرزه، استفاده طولانی مدت بدون تغییر شکل، عمر طولانی و غیره، میتواند خدمات سفارشی ارائه دهد.
گرافیت برای رشد کریستال
سپر حرارتی گرافیتی
لوله الکترود گرافیتی
منحرف کننده گرافیتی
سه نظام گرافیتی
تمام فرآیندهای مورد استفاده برای رشد کریستالهای نیمههادی در محیطهای با دمای بالا و خورنده عمل میکنند. منطقه داغ کوره رشد کریستال معمولاً با مواد مقاوم در برابر حرارت و خوردگی با خلوص بالا پوشانده میشود. اجزای گرافیتی، مانند بخاریهای گرافیتی، بوتهها، سیلندرها، منحرفکننده، سه نظامها، لولهها، حلقهها، نگهدارندهها، مهرهها و غیره. محصول نهایی ما میتواند به میزان خاکستر کمتر از 5ppm برسد.
گرافیت برای اپیتکسی نیمه هادی
پایه گرافیتی
بشکه اپیتکسیال گرافیتی
پایه اپیتکسیال سیلیکونی مونوکری استالین
قطعات گرافیتی MOCVD
فیکسچر گرافیتی نیمه هادی
فرآیند اپیتاکسی به رشد یک ماده تک کریستالی روی یک زیرلایه تک کریستالی با همان آرایش شبکهای زیرلایه اشاره دارد. این فرآیند به قطعات گرافیتی با خلوص بسیار بالا و پایه گرافیتی با پوشش SIC نیاز دارد. گرافیت با خلوص بالا که برای اپیتاکسی نیمههادی استفاده میشود، طیف وسیعی از کاربردها را دارد که میتواند با اکثر تجهیزات رایج در صنعت مطابقت داشته باشد. در عین حال، خلوص بسیار بالا، پوشش یکنواخت، عمر مفید عالی و مقاومت شیمیایی و پایداری حرارتی بسیار بالایی دارد.
مواد عایق و موارد دیگر
مواد عایق حرارتی مورد استفاده در تولید نیمه هادی عبارتند از نمد سخت گرافیتی، نمد نرم، فویل گرافیتی، مواد کامپوزیت کربنی و غیره. مواد اولیه ما مواد گرافیتی وارداتی هستند که میتوانند طبق مشخصات مشتری برش داده شوند و همچنین به صورت کلی فروخته شوند. مواد کامپوزیت کربنی معمولاً به عنوان حامل برای فرآیند تولید سلولهای خورشیدی مونوکریستال و پلی سیلیکون استفاده میشوند.