حامل گرافیتی روکش شده با SiC با طول عمر بالا برای ویفر خورشیدی

شرح مختصر:

کاربید سیلیکون نوع جدیدی از سرامیک با عملکرد بالا و خواص عالی است. به دلیل ویژگی‌هایی مانند استحکام و سختی بالا، مقاومت در برابر دمای بالا، رسانایی حرارتی عالی و مقاومت در برابر خوردگی شیمیایی، کاربید سیلیکون تقریباً می‌تواند در برابر همه مواد شیمیایی مقاومت کند. بنابراین، SiC به طور گسترده در استخراج نفت، مواد شیمیایی، ماشین آلات و فضای هوایی استفاده می‌شود، حتی انرژی هسته‌ای و ارتش نیز نیازهای ویژه خود را به SIC دارند. برخی از کاربردهای معمول که می‌توانیم ارائه دهیم عبارتند از حلقه‌های آب‌بندی برای پمپ، شیر و زره محافظ و غیره.


جزئیات محصول

برچسب‌های محصول

مزایا

مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا
مقاومت عالی در برابر خوردگی
مقاومت سایشی خوب
ضریب هدایت حرارتی بالا
خود روانکاری، چگالی کم
سختی بالا
طراحی سفارشی.

اچ جی اف (2)
اچ جی اف (1)

کاربردها

- مقاوم در برابر سایش: بوش، صفحه، نازل سندبلاست، آستر سیکلون، بشکه سنگ زنی و غیره ...
میدان دمای بالا: صفحه سیلیسیم کاربید، لوله کوره کوئنچ، لوله تابشی، بوته ذوب، المنت گرمایشی، غلتک، تیر، مبدل حرارتی، لوله هوای سرد، نازل مشعل، لوله محافظ ترموکوپل، قایق سیلیسیم کاربید، سازه واگن کوره، تنظیم کننده و غیره.
نیمه‌هادی سیلیکون کاربید: قایق ویفر SiC، سه نظام SiC، پاروی SiC، کاست SiC، لوله انتشار SiC، چنگال ویفر، صفحه مکش، مسیر هدایت و غیره.
- زمینه آب‌بندی کاربید سیلیکون: انواع حلقه آب‌بندی، یاتاقان، بوش و غیره
- زمینه فتوولتائیک: پارویی کنسول، بشکه سنگ زنی، غلتک کاربید سیلیکون و غیره.
میدان باتری لیتیومی

ویفر (1)

ویفر (2)

خواص فیزیکی SiC

ملک ارزش روش
تراکم ۳.۲۱ گرم بر سی‌سی سینک-فلوتر و ابعاد
گرمای ویژه ۰.۶۶ ژول بر گرم درجه کلوین فلاش لیزر پالسی
استحکام خمشی ۴۵۰ مگاپاسکال ۵۶۰ مگاپاسکال خمش ۴ نقطه‌ای، خمش ۴ نقطه‌ای RT4، ۱۳۰۰ درجه
چقرمگی شکست ۲.۹۴ مگاپاسکال بر متر مربع ریزدندانه‌گذاری
سختی ۲۸۰۰ ویکرز، ظرفیت ۵۰۰ گرم
مدول الاستیکمدول یانگ ۴۵۰ گیگا پاسکال ۴۳۰ گیگا پاسکال خم ۴ نقطه‌ای، خم RT4 نقطه‌ای، ۱۳۰۰ درجه سانتیگراد
اندازه دانه ۲ تا ۱۰ میکرومتر SEM

خواص حرارتی SiC

رسانایی حرارتی ۲۵۰ وات بر متر مربع درجه کلوین روش فلش لیزری، RT
انبساط حرارتی (CTE) ۴.۵ × ۱۰-۶ درجه کلوین دمای اتاق تا ۹۵۰ درجه سانتیگراد، دیلاتومتر سیلیس

پارامترهای فنی

مورد واحد داده‌ها
آر بی اس آی سی (سی سی سی) ان‌بی‌اس‌آی‌سی SSiC آر اس آی سی اوسی سی
محتوای SiC % 85 75 99 ۹۹.۹ ≥۹۹
محتوای سیلیکون رایگان % 15 0 0 0 0
حداکثر دمای سرویس ۱۳۸۰ ۱۴۵۰ ۱۶۵۰ ۱۶۲۰ ۱۴۰۰
تراکم گرم بر سانتی‌متر مربع3 ۳.۰۲ ۲.۷۵-۲.۸۵ ۳.۰۸-۳.۱۶ ۲.۶۵-۲.۷۵ ۲.۷۵-۲.۸۵
تخلخل باز % 0 ۱۳-۱۵ 0 ۱۵-۱۸ ۷-۸
مقاومت خمشی 20℃ Мpa ۲۵۰ ۱۶۰ ۳۸۰ ۱۰۰ /
مقاومت خمشی 1200℃ Мpa ۲۸۰ ۱۸۰ ۴۰۰ ۱۲۰ /
مدول الاستیسیته 20℃ معدل ۳۳۰ ۵۸۰ ۴۲۰ ۲۴۰ /
مدول الاستیسیته ۱۲۰۰ درجه سانتیگراد معدل ۳۰۰ / / ۲۰۰ /
رسانایی حرارتی ۱۲۰۰ درجه سانتیگراد وات/میلی‌کیلووات 45 ۱۹.۶ ۱۰۰-۱۲۰ ۳۶.۶ /
ضریب انبساط حرارتی K-1ایکس۱۰-6 ۴.۵ ۴.۷ ۴.۱ ۴.۶۹ /
HV کیلوگرم بر متر مربعm2 ۲۱۱۵ عدد / ۲۸۰۰ / /

پوشش کاربید سیلیکون CVD روی سطح بیرونی محصولات سرامیکی کاربید سیلیکون تبلور یافته می‌تواند به خلوصی بیش از 99.9999٪ برسد تا نیازهای مشتریان در صنعت نیمه‌هادی را برآورده کند.

محل کار سمیسرا
محل کار سمیسرا ۲
دستگاه تجهیزات
پردازش CNN، تمیزکاری شیمیایی، پوشش CVD
خدمات ما

  • قبلی:
  • بعدی: