مزایا
مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا
مقاومت عالی در برابر خوردگی
مقاومت سایشی خوب
ضریب هدایت حرارتی بالا
خود روانکاری، چگالی کم
سختی بالا
طراحی سفارشی.
کاربردها
- مقاوم در برابر سایش: بوش، صفحه، نازل سندبلاست، آستر سیکلون، بشکه سنگ زنی و غیره ...
میدان دمای بالا: صفحه سیلیسیم کاربید، لوله کوره کوئنچ، لوله تابشی، بوته ذوب، المنت گرمایشی، غلتک، تیر، مبدل حرارتی، لوله هوای سرد، نازل مشعل، لوله محافظ ترموکوپل، قایق سیلیسیم کاربید، سازه واگن کوره، تنظیم کننده و غیره.
نیمههادی سیلیکون کاربید: قایق ویفر SiC، سه نظام SiC، پاروی SiC، کاست SiC، لوله انتشار SiC، چنگال ویفر، صفحه مکش، مسیر هدایت و غیره.
- زمینه آببندی کاربید سیلیکون: انواع حلقه آببندی، یاتاقان، بوش و غیره
- زمینه فتوولتائیک: پارویی کنسول، بشکه سنگ زنی، غلتک کاربید سیلیکون و غیره.
میدان باتری لیتیومی


خواص فیزیکی SiC
| ملک | ارزش | روش |
| تراکم | ۳.۲۱ گرم بر سیسی | سینک-فلوتر و ابعاد |
| گرمای ویژه | ۰.۶۶ ژول بر گرم درجه کلوین | فلاش لیزر پالسی |
| استحکام خمشی | ۴۵۰ مگاپاسکال ۵۶۰ مگاپاسکال | خمش ۴ نقطهای، خمش ۴ نقطهای RT4، ۱۳۰۰ درجه |
| چقرمگی شکست | ۲.۹۴ مگاپاسکال بر متر مربع | ریزدندانهگذاری |
| سختی | ۲۸۰۰ | ویکرز، ظرفیت ۵۰۰ گرم |
| مدول الاستیکمدول یانگ | ۴۵۰ گیگا پاسکال ۴۳۰ گیگا پاسکال | خم ۴ نقطهای، خم RT4 نقطهای، ۱۳۰۰ درجه سانتیگراد |
| اندازه دانه | ۲ تا ۱۰ میکرومتر | SEM |
خواص حرارتی SiC
| رسانایی حرارتی | ۲۵۰ وات بر متر مربع درجه کلوین | روش فلش لیزری، RT |
| انبساط حرارتی (CTE) | ۴.۵ × ۱۰-۶ درجه کلوین | دمای اتاق تا ۹۵۰ درجه سانتیگراد، دیلاتومتر سیلیس |
پارامترهای فنی
| مورد | واحد | دادهها | ||||
| آر بی اس آی سی (سی سی سی) | انبیاسآیسی | SSiC | آر اس آی سی | اوسی سی | ||
| محتوای SiC | % | 85 | 75 | 99 | ۹۹.۹ | ≥۹۹ |
| محتوای سیلیکون رایگان | % | 15 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| حداکثر دمای سرویس | ℃ | ۱۳۸۰ | ۱۴۵۰ | ۱۶۵۰ | ۱۶۲۰ | ۱۴۰۰ |
| تراکم | گرم بر سانتیمتر مربع3 | ۳.۰۲ | ۲.۷۵-۲.۸۵ | ۳.۰۸-۳.۱۶ | ۲.۶۵-۲.۷۵ | ۲.۷۵-۲.۸۵ |
| تخلخل باز | % | 0 | ۱۳-۱۵ | 0 | ۱۵-۱۸ | ۷-۸ |
| مقاومت خمشی 20℃ | Мpa | ۲۵۰ | ۱۶۰ | ۳۸۰ | ۱۰۰ | / |
| مقاومت خمشی 1200℃ | Мpa | ۲۸۰ | ۱۸۰ | ۴۰۰ | ۱۲۰ | / |
| مدول الاستیسیته 20℃ | معدل | ۳۳۰ | ۵۸۰ | ۴۲۰ | ۲۴۰ | / |
| مدول الاستیسیته ۱۲۰۰ درجه سانتیگراد | معدل | ۳۰۰ | / | / | ۲۰۰ | / |
| رسانایی حرارتی ۱۲۰۰ درجه سانتیگراد | وات/میلیکیلووات | 45 | ۱۹.۶ | ۱۰۰-۱۲۰ | ۳۶.۶ | / |
| ضریب انبساط حرارتی | K-1ایکس۱۰-6 | ۴.۵ | ۴.۷ | ۴.۱ | ۴.۶۹ | / |
| HV | کیلوگرم بر متر مربعm2 | ۲۱۱۵ عدد | / | ۲۸۰۰ | / | / |
پوشش کاربید سیلیکون CVD روی سطح بیرونی محصولات سرامیکی کاربید سیلیکون تبلور یافته میتواند به خلوصی بیش از 99.9999٪ برسد تا نیازهای مشتریان در صنعت نیمههادی را برآورده کند.






