-
پیوند ویفر SiC توضیح داده شده است
اتصال ویفر SiC: روشها، کاربردها و چالشها دو ویفر میتوانند کاملاً صاف به نظر برسند و همچنان از اتصال قابل اعتماد خودداری کنند. در مقیاسی که اهمیت دارد، شیمی سطح، زبری اتمی، ذرات و گازهای به دام افتاده تصمیم میگیرند که آیا تماس به یک رابط بادوام تبدیل میشود یا خیر. کاربید سیلیکون دشواری را افزایش میدهد...ادامه مطلب -
برش سفارشی ویفرهای سیلیکونی مستطیلی کوچک: چگونه یک شرکت اپتیک هلندی بین لبپریدگی کم و زبری کم برای 10 ویفر غیر استاندارد تعادل برقرار کرد
خلاصه اصلی: یک شرکت تحقیقاتی نوری هلندی، 10 ویفر سیلیکونی مستطیلی سفارشی، به ابعاد 29.2 میلیمتر × 70 میلیمتر و ضخامت 230 میکرومتر را سفارش داد و در ابتدا درخواست زبری سطح 0.1 نانومتر با لبههای بدون لبپریدگی پس از برش را داشت. پس از ارزیابی، تیم فنی این دو نوع ...ادامه مطلب -
سوسپتور گرافیتی روکش شده با SiC چیست؟
در صنعت نیمههادی که به سرعت در حال تکامل است - که با افزایش دستگاههای قدرت با شکاف باند وسیع (WBG)، ارتباطات RF 5G و الکترونیک نوری پیشرفته هدایت میشود - دستیابی به خلوص فوقالعاده بالا و یکنواختی دقیق لایه اتمی در طول رشد کریستال بسیار مهم است. در سمیسرا، ما در زمینه تولید نیمههادیهای با کارایی بالا تخصص داریم...ادامه مطلب -
فرآیند پوششدهی CVD: تحلیل عمیق اصول، کاربردها و تکامل آینده
در بحبوحه رشد انفجاری تولید نیمههادیها در مقیاس نانو و نیمههادیهای مرکب (مانند SiC و GaN)، یک "قهرمان گمنام" که اغلب نادیده گرفته میشود و عملکرد تراشه و طول عمر تجهیزات را تعیین میکند، وجود دارد: فرآیند پوششدهی شیمیایی بخار (CVD). پوششدهی CVD...ادامه مطلب -
مورد سفارشیسازی فیلم نازک AlN مبتنی بر سیلیکون ۶ اینچی: چگونه MOCVD مشکل ترک خوردگی ناشی از تنش ناهماپیتاکسی را حل کرد؟
خلاصه: از ۵۰۰ نانومتر تا ۱۰۰ نانومتر، تحویل بر اساس مشخصات در یک مرحله و ظرف ۳-۴ هفته. نکته اصلی: آنچه مشتری در ابتدا میخواست، یک فیلم با ضخامت ۵۰۰ نانومتر بود. آنچه در نهایت تحویل دادیم، یک راهحل ۱۰۰ نانومتری معتبر و کنترلشده با ریسک بود - هدف این مورد فقط رسیدن به یک مشخصات نیست، بلکه...ادامه مطلب -
MOCVD چگونه کار میکند؟ راهنمایی برای رسوبگذاری لایه نازک در سطح اتمی
Ⅰ. مقدمه دستگاههای نیمههادی مدرن به طور فزایندهای قدرتمندتر، کوچکتر و از نظر انرژی کارآمدتر میشوند. در پشت بسیاری از این نوآوریها، یک فناوری تولید بسیار پیشرفته وجود دارد که مهندسان را قادر میسازد مواد نیمههادی را لایه به لایه در مقیاس اتمی بسازند - مت...ادامه مطلب -
پودر کاربید سیلیکون با خلوص بالا: چیست و چرا اهمیت دارد؟
مقدمه با پیشرفت فناوریهای نیمههادی به سمت ولتاژ بالاتر، فرکانس بالاتر و عملکرد در دمای بالاتر، کاربید سیلیکون (SiC) به یکی از مهمترین مواد نیمههادی با شکاف باند وسیع برای دستگاههای الکترونیکی نسل بعدی تبدیل شده است. با این حال، عملکرد...ادامه مطلب -
کامپوزیت کربن-کربن CFC چیست؟ خواص، کاربردها و مزایای آن در تولید نیمه هادی
کامپوزیت کربن-کربن که با نام کامپوزیت C/C یا کامپوزیت کربن تقویتشده با الیاف کربن نیز شناخته میشود، یک ماده کربنی پیشرفته است که از الیاف کربن تعبیهشده در یک ماتریس کربنی تشکیل شده است. برخلاف مواد گرافیتی سنتی، CFC خواص حرارتی عالی کربن را با مکانیک ترکیب میکند...ادامه مطلب -
چرا دیسک سیارهای کاربید تانتالیوم برای اپیتکسی نیمههادی مدرن حیاتی است؟
با حرکت فناوری نیمههادیها به سمت ویفرهای بزرگتر، دمای فرآیند بالاتر و کنترل دقیقتر آلودگی، الزامات عملکردی برای اجزای راکتور به طور فزایندهای مورد توجه قرار گرفته است. در میان این اجزای حیاتی، قطعه سیارهای تانتالوم کاربید (TaC)...ادامه مطلب -
چه چیزی بوتههای کوارتز ذوبشده را برای رشد کریستال نیمههادی مدرن ضروری میکند؟
پیشرفت مداوم فناوری نیمههادی، الزامات سختگیرانهتری را در مورد خلوص مواد، پایداری حرارتی و ثبات فرآیند ایجاد کرده است. در حالی که اغلب توجه زیادی به کششدهندههای کریستال، راکتورهای اپیتاکسی و تجهیزات رسوبگذاری میشود، یکی از اساسیترین اجزا...ادامه مطلب -
چرا بخاریهای گرافیتی نیمههادی برای فرآیندهای رشد کریستال SiC و اپیتاکسی حیاتی هستند؟
همچنان که صنعت نیمههادی به سمت دستگاههای منطقی پیشرفته، نیمههادیهای قدرت، نیمههادیهای مرکب و مواد با شکاف باند وسیع در حال گذار است، دمای فرآیند به محدودیتهای مواد مهندسی سنتی نزدیک میشود. از فرآیندهای رشد و انتشار کریستال سیلیکون...ادامه مطلب -
چرا بوتههای کوارتز ذوبشده برای فرآیند رشد کریستال سیلیکون چکرالسکی (CZ) حیاتی هستند؟
در تولید نیمههادیهای مدرن، عملکرد مدارهای مجتمع مدتها قبل از ساخت ویفر آغاز میشود. این امر در مرحله رشد کریستال آغاز میشود، جایی که شمشهای سیلیکون تک کریستالی با خلوص فوق العاده بالا با استفاده از فرآیند Czochralski (CZ) تولید میشوند. در قلب این فرآیند، ...ادامه مطلب