کاربید سیلیکون تودهای (SiC) به روش CVD
نمای کلی:بیماریهای قلبی عروقی (CVD)کاربید سیلیکون تودهای (SiC)این ماده در تجهیزات حکاکی پلاسما، کاربردهای پردازش حرارتی سریع (RTP) و سایر فرآیندهای تولید نیمههادی بسیار مورد توجه است. خواص مکانیکی، شیمیایی و حرارتی استثنایی آن، آن را به مادهای ایدهآل برای کاربردهای فناوری پیشرفته که نیاز به دقت و دوام بالا دارند، تبدیل کرده است.
کاربردهای SiC تودهای CVD:SiC فلهای در صنعت نیمههادی، به ویژه در سیستمهای حکاکی پلاسما، که در آن اجزایی مانند حلقههای فوکوس، دوشهای گازی، حلقههای لبه و صفحات از مقاومت در برابر خوردگی و رسانایی حرارتی برجسته SiC بهرهمند میشوند، بسیار مهم است. کاربرد آن به موارد زیر گسترش مییابد:آر تی پیسیستمهایی که به دلیل توانایی SiC در مقاومت در برابر نوسانات سریع دما بدون تخریب قابل توجه، مورد توجه قرار گرفتهاند.
علاوه بر تجهیزات اچینگ، CVDSiC فلهدر کورههای انتشار و فرآیندهای رشد کریستال، که در آنها پایداری حرارتی بالا و مقاومت در برابر محیطهای شیمیایی خشن مورد نیاز است، مورد توجه قرار میگیرد. این ویژگیها، SiC را به مادهی انتخابی برای کاربردهای پر تقاضا شامل دماهای بالا و گازهای خورنده، مانند گازهای حاوی کلر و فلوئور، تبدیل میکند.
مزایای اجزای SiC تودهای CVD:
•چگالی بالا:با چگالی ۳.۲ گرم بر سانتیمتر مکعب،SiC تودهای CVDقطعات در برابر سایش و ضربه مکانیکی بسیار مقاوم هستند.
•رسانایی حرارتی برتر:با ارائه رسانایی حرارتی 300 W/m·K، SiC فلهای به طور مؤثر گرما را مدیریت میکند و آن را برای اجزایی که در معرض چرخههای حرارتی شدید قرار دارند، ایدهآل میسازد.
•مقاومت شیمیایی استثنایی:واکنشپذیری پایین SiC با گازهای اچینگ، از جمله مواد شیمیایی مبتنی بر کلر و فلوئور، عمر طولانی قطعات را تضمین میکند.
•مقاومت قابل تنظیم: SiC های حجیم CVDمقاومت ویژه را میتوان در محدوده 10⁻²–10⁴ Ω-cm تنظیم کرد، که آن را با نیازهای خاص اچینگ و تولید نیمههادی سازگار میکند.
•ضریب انبساط حرارتی:با ضریب انبساط حرارتی 4.8 x 10⁻⁶/°C (25-1000°C)، SiC تودهای CVD در برابر شوک حرارتی مقاومت میکند و حتی در طول چرخههای گرمایش و سرمایش سریع، پایداری ابعادی خود را حفظ میکند.
•دوام در پلاسما:قرار گرفتن در معرض پلاسما و گازهای واکنشپذیر در فرآیندهای نیمههادی اجتنابناپذیر است، اماSiC تودهای CVDمقاومت برتر در برابر خوردگی و تخریب را ارائه میدهد و باعث کاهش دفعات تعویض و هزینههای کلی نگهداری میشود.
مشخصات فنی:
•قطر:بزرگتر از 305 میلیمتر
•مقاومت ویژه:قابل تنظیم در محدوده 10⁻²–10⁴ Ω-سانتیمتر
•تراکم:۳.۲ گرم بر سانتیمتر مکعب
•رسانایی حرارتی:۳۰۰ وات بر متر مکعب بر کلوین
•ضریب انبساط حرارتی:۴.۸ × ۱۰⁻⁶/°C (۲۵–۱۰۰۰°C)
سفارشیسازی و انعطافپذیری:درنیمهرسانا سمیسراما درک میکنیم که هر کاربرد نیمههادی ممکن است به مشخصات متفاوتی نیاز داشته باشد. به همین دلیل است که قطعات SiC فلهای CVD ما کاملاً قابل تنظیم هستند، با مقاومت ویژه قابل تنظیم و ابعاد متناسب با نیازهای تجهیزات شما. چه در حال بهینهسازی سیستمهای اچ پلاسما باشید و چه به دنبال قطعات بادوام در فرآیندهای RTP یا انتشار باشید، SiC فلهای CVD ما عملکرد بینظیری را ارائه میدهد.
