ویفر سی

ویفر سیلیکونی (ویفر سیلیکونی)

ویفر سیلیکونی چیست؟

ویفر سیلیکونی یک ورق نازک دایره‌ای است که با برش، سنگ‌زنی و صیقل دادن شمش‌های سیلیکونی تک‌بلوری با خلوص بالا ساخته می‌شود. این ویفر به عنوان ماده زیرلایه اساسی برای ساخت مدارهای مجتمع، دستگاه‌های قدرت، حسگرهای MEMS، قطعات فتوولتائیک و نوری عمل می‌کند. خواص الکتریکی ویفر (مقاومت، نوع آلایش)، دقت هندسی (ضخامت، TTV، تاب برداشتن) و کیفیت سطح (زبری، اندازه ذرات) مستقیماً بازده و ثبات دستگاه را در فرآیندهای بعدی مانند رشد اپیتاکسیال، فوتولیتوگرافی و پوشش‌دهی تعیین می‌کنند. بنابراین، انتخاب و قابلیت ردیابی ویفرها برای خطوط تولید مشتری بسیار مهم است.

سبد محصولات ویفر سیلیکونی آزمایشگاه سمیسرا طیف گسترده‌ای از بخش‌ها، از زیرلایه‌های ویفر بدون پوشش گرفته تا زیرلایه‌های کاربردی را در بر می‌گیرد؛ این سبد امکان سفارشی‌سازی تکنیک‌های مختلف رشد کریستال، جهت‌گیری‌های برش و راه‌حل‌های عملیات سطحی را بر اساس فرآیندهای ساخت پایین‌دستی (اپیتاکسی، اکسیداسیون، پیوند، پردازش MEMS) فراهم می‌کند.

Pخط تولید

این دسته شامل زیرمحصولات زیر است که هر کدام با مشخصات سفارشی موجود است:

Pمحصول

Mویژگی‌های عین

کاربردهای معمول

فیلم سیلیکونی

لایه سیلیکونی فوق نازک با ضخامت قابل کنترل تا محدوده زیر میکرون

لایه دستگاه SOI، حسگر لایه نازک

بستر سیلیکونی

صافی سطح بالاپرداخت یک طرفه یا دو طرفه

MEMS و دستگاه‌های قدرت؛ رشد اپیتکسیال؛ تأیید فرآیند عمومی

ویفر سیلیکونی (استاندارد)

روش CZمحدوده مقاومت ویژه وسیع

تولید آی‌سی، دستگاه‌های گسسته

ویفرهای سیلیکونی FZ

ذوب ناحیه‌ای (بدون بوته)، مقاومت ویژه فوق‌العاده بالا، محتوای اکسیژن کم

دستگاه‌های قدرت، آشکارسازها، کاربردهای فرکانس بالا/RF

ویفر اکسید حرارتی سیلیکون

SiO2 رشد یافته سطحیلایه عایق با ضخامت قابل کنترل

لایه ایزوله MEMS و تحقیقات خازن/دی‌الکتریک

مشخصات فنی اصلی

فهرست زیر، محدوده‌های مشخصات قابل تنظیم رایج برای محصولات ویفر سیلیکونی را نشان می‌دهد؛ مقادیر دقیق منوط به فرم تأیید سفارش هستند:

پارامتر

محدوده معمول

توضیح دهید

قطر ویفر

2« –12«(50۳۰۰ میلی‌متر)

پشتیبانی از برگه‌های نمونه سفارشی با اندازه کوچک

حالت رشد کریستال

CZ (روش چکرالسکی) / FZ (روش ذوب منطقه‌ای)

FZ برای محیط‌های با مقاومت ویژه فوق‌العاده بالا و اکسیژن کم طراحی شده است.

جهت گیری کریستال

(100)،(111)،(110)

مطابق با الزامات فرآیند پایین‌دستی

نوع دوپینگ

نوع N / نوع P

عناصر دوپینگ: فسفر، آرسنیک، بور و غیره

مقاومت ویژه

۰.۰۰۱۱۰۰۰۰اهم·cm

فرآیند FZ امکان عملکرد در ناحیه با مقاومت بالا را فراهم می‌کند.

انحراف ضخامت

±1025 μمتر (بسته به اندازه)

با افزایش قطر، ضخامت استاندارد نیز به همین ترتیب افزایش می‌یابد.

تغییر ضخامت کل (TTV)

15 μm

بر عمق میدان و ثبات پیوند در فوتولیتوگرافی تأثیر می‌گذارد

تار/کمان

520 μm

ورق‌های با ابعاد بزرگ نیاز به اقدامات سختگیرانه‌تری برای کنترل تاب برداشتن دارند.

زبری سطح (Ra)

مقیاس زیر نانومتر (سطح صیقلی)

بر چسبندگی لایه نازک و عملکرد الکتریکی دستگاه تأثیر می‌گذارد

پردازش لبه

لبه دایره‌ای/پخ‌دارمطابق با استانداردهای SEMI

کاهش ترک خوردگی لبه و آلودگی ذرات

حالت سطحی

پرداخت یک طرفه (SSP)/پرداخت دو طرفه (DSP)

DSP برای فرآیندهای اتصال و ساخت MEMS مناسب است.

نکته: روش CZ از بوته کوارتز برای رشد کریستال استفاده می‌کند؛ این فرآیند به خوبی تثبیت شده و مقرون به صرفه است، اما اکسیژن وارد شده توسط بوته، حداکثر مقدار مقاومت ویژه را محدود می‌کند. در مقابل، روش FZ از بوته استفاده نمی‌کند، که منجر به محتوای اکسیژن بسیار کم و امکان تولید مقادیر مقاومت ویژه بالاتر و یکنواخت‌تر می‌شود.این امر آن را به ویژه برای کاربردهای با مقاومت بالا مانند دستگاه‌های قدرت و آشکارسازها مناسب می‌سازد. این تفاوت در فرآیندهای تولید به عنوان یک معیار کلیدی در انتخاب ماده یا روش ساخت عمل می‌کند.

فرآیند تولید و آزمایش

 

کل فرآیند در یک محیط کنترل‌شده‌ی اتاق تمیز انجام می‌شود؛ برای تمام فرآیندهای حیاتی، سوابق داده‌های بازرسی دقیق نگهداری می‌شوند تا از پارامترهای سازگار و قابل ردیابی در بین دسته‌ها اطمینان حاصل شود.

Aمنطقه کاربرد

چرا ما را انتخاب کنید؟

 

سوالات متداول (FAQ)

س: چگونه باید بین ویفرهای سیلیکونی CZ و ویفرهای سیلیکونی FZ یکی را انتخاب کرد؟

الف) برای کاربردهایی که هزینه دغدغه اصلی است و نیاز به مقاومت ویژه در محدوده کم تا متوسط ​​قرار می‌گیرد، ویفرهای سیلیکونی CZ انتخاب اقتصادی‌تری هستند؛ با این حال، برای کاربردهایی (مثلاً دستگاه‌های برق ولتاژ بالا یا آشکارسازها) که به مقاومت ویژه بسیار بالا و یکنواخت همراه با محتوای اکسیژن بسیار کم نیاز دارند، ویفرهای سیلیکونی FZ توصیه می‌شوند.

س: تفاوت بین پرداخت یک طرفه (SSP) و پرداخت دو طرفه (DSP) چیست؟

الف) SSP فقط در یک طرف دارای سطح آینه‌ای است و هزینه کمتری دارد، که آن را برای فرآیندهای اپیتاکسیال و فوتولیتوگرافی مرسوم مناسب می‌کند؛ DSP دارای سطوح صیقلی در هر دو طرف است که صافی بالاتر و تمیزی پشت بهتری را فراهم می‌کند و معمولاً در اتصال، کاربردهای MEMS یا فرآیندهایی که الزامات سختگیرانه‌ای برای کیفیت پشت اعمال می‌شود، استفاده می‌شود.

س: آیا این سرویس از ابعاد غیر استاندارد یا نمونه سازی اولیه در مقیاس کوچک پشتیبانی می کند؟

الف: پشتیبانیقطر، ضخامت، جهت کریستالوگرافی و عملیات سطحی را می‌توان با توجه به نیاز مشتری سفارشی‌سازی کرد.'نقشه‌ها یا الزامات مشخصات؛ نمونه‌های اولیه برای تأیید قبل از شروع به تولید انبوه ارائه خواهند شد.

س: چگونه می‌توانیم تأیید کنیم که آیا پارامترهای ویفر الزامات خط تولید ما را برآورده می‌کنند؟

الف) ما توصیه می‌کنیم محدوده مقاومت ویژه هدف، جهت‌گیری کریستال، تلرانس ضخامت، الزامات TTV/انحراف و شرایط سطح (SSP/DSP) را ارائه دهید؛ بر اساس این مشخصات، توصیه‌های انتخاب و گزارش آزمایش را ارائه خواهیم داد.

درخواست قیمت و مستندات فنی

برای دریافت قیمت مشخصات ویفر سیلیکونی خاص، دانلود برگه پارامترهای فنی محصول یا بحث در مورد راه‌حل‌های سفارشی غیر استاندارد، لطفاً درخواست خود را از طریق«تماس با ماما ظرف 24 ساعت پاسخ خواهیم داد.