شرکت سمیسرا پوششهای کاربید تانتالیوم (TaC) مخصوصی را برای قطعات و حاملهای مختلف ارائه میدهد.فرآیند پوششدهی پیشرو Semicera، پوششهای کاربید تانتالوم (TaC) را قادر میسازد تا به خلوص بالا، پایداری دمایی بالا و تحمل شیمیایی بالا دست یابند و کیفیت محصول کریستالهای SIC/GAN و لایههای EPI را بهبود بخشند.سوسپکتور TaC با پوشش گرافیتی) و افزایش عمر اجزای کلیدی راکتور. استفاده از پوشش کاربید تانتالیوم TaC برای حل مشکل لبه و بهبود کیفیت رشد کریستال است و شرکت سمیسرا با دستیابی به موفقیت، فناوری پوشش کاربید تانتالیوم (CVD) را حل کرده و به سطح پیشرفته بینالمللی رسیده است.
با ظهور ویفرهای 8 اینچی کاربید سیلیکون (SiC)، الزامات فرآیندهای مختلف نیمههادی به طور فزایندهای سختگیرانهتر شده است، به خصوص برای فرآیندهای اپیتاکسی که دما میتواند از 2000 درجه سانتیگراد فراتر رود. مواد جاذب سنتی، مانند گرافیت پوشش داده شده با کاربید سیلیکون، در این دماهای بالا تمایل به تصعید دارند و فرآیند اپیتاکسی را مختل میکنند. با این حال، کاربید تانتالوم (TaC) به روش CVD به طور موثری این مشکل را حل میکند و در برابر دماهای تا 2300 درجه سانتیگراد مقاومت میکند و عمر مفید بیشتری را ارائه میدهد. با سمیسرا تماس بگیریدs قطعات سفارشی پوشش CVD کاربید تانتالوم TaCبرای بررسی بیشتر در مورد راهکارهای پیشرفته ما.
پس از سالها توسعه، سمیسرا فناوری ... را فتح کرده است.CVD TaCبا تلاشهای مشترک بخش تحقیق و توسعه. نقصها در فرآیند رشد ویفرهای SiC به راحتی رخ میدهند، اما پس از استفادهتا سی، تفاوت قابل توجه است. در زیر مقایسهای از ویفرهای دارای TaC و بدون آن، و همچنین قطعات Simicera برای رشد تک بلور ارائه شده است.
با و بدون TaC
بعد از استفاده از TaC (راست)
علاوه بر این، سمیسرامحصولات روکش شده با TaCعمر مفید طولانیتر و مقاومت بیشتر در برابر دمای بالا در مقایسه باپوششهای SiC.اندازهگیریهای آزمایشگاهی نشان دادهاند که ماپوششهای TaCمیتواند به طور مداوم در دماهای تا ۲۳۰۰ درجه سانتیگراد برای مدت طولانی کار کند. در زیر چند نمونه از نمونههای ما آمده است:
