شرح
سختی قطعات ساختاری سرامیکی کاربید سیلیکون تنها پس از الماس، سختی ویکرز 2500 است.به عنوان یک ماده فوق العاده سخت و شکننده، پردازش قطعات ساختاری کاربید سیلیکون بسیار دشوار است.فناوری انرژی وی تای مرکز ماشینکاری CNC را پذیرفته است.در فرآیند سنگ زنی دایره ای داخلی و خارجی قطعات ساختاری سرامیکی کاربید سیلیکون، تحمل قطر را می توان در 0.005± میلی متر و گرد بودن ± 0.005 میلی متر کنترل کرد.ساختار سرامیکی کاربید سیلیکون ماشینکاری شده با دقت دارای سطح صاف، بدون سوراخ، بدون تخلخل، بدون ترک، زبری Ra0.1μm است.
آینه کاربید سیلیکون، آینه SIC، آینه سرامیکی کاربید سیلیکون، بدنه خالی آینه SiC آینه سبک وزن، آینه کاربید سیلیکون فناوری Wei Tai Energy، آینه SIC، آینه SiC، آینه سرامیکی کاربید سیلیکون، آینه سبک وزن آینه SIC آینه خالی بدنه 310g/cm3. .
1. سطح تخته بزرگ بلند و صاف است
اندازه تخته پلت فرم جذب خلاء فناوری انرژی وی تای تا 1950 * 3950 میلی متر (فراتر از این اندازه می توان اتصال را انجام داد).دارای صافی و انحراف است، صافی به طور کلی در 25 سیم، تا 10 سیم کنترل می شود.مقدار انحراف کمتر از 10 سیم در 30 کیلوگرم نیروی اضافی است.
2. وزن سبک وزن سنگین را حمل می کند
پلت فرم جذب خلاء فناوری انرژی وی تای از ساختار لانه زنبوری آلومینیومی ممتاز استفاده می کند که همگی از مواد آلیاژی آلومینیومی با چگالی حدود 25 تا 35 کیلوگرم بر متر مربع استفاده می کنند.تحمل بار 30 کیلوگرم بدون تغییر شکل.
3. مکش بزرگ مکش یکنواخت
طراحی بهینه پلت فرم جذب خلاء فناوری انرژی وی تای نه تنها می تواند اطمینان حاصل کند که عملکرد پلت فرم تحت تأثیر قرار نمی گیرد، بلکه مکش هر موقعیت پلت فرم را بزرگ و یکنواخت می کند.
4. مقاومت در برابر سایش
سطح پلت فرم جذب خلاء فناوری انرژی وی تای دارای انواع فرآیندهای تصفیه از جمله گردگیری فلوروکربن PVDF، اکسیداسیون مثبت و اکسیداسیون سخت است که با توجه به نیاز واقعی انتخاب می شوند.فرآیند اکسیداسیون سخت مقاوم در برابر خراش و سایش است و سختی سطح آن می تواند به HV500-700 برسد.
5. سفارشی سازی مشتری
پلت فرم جذب خلاء فناوری انرژی وی تای را می توان با توجه به نیاز مشتری سفارشی کرد، خواه اندازه پلت فرم، دیافراگم و فاصله، ناحیه مکش، قطر مکش، تعداد پورت های مکش، حالت رابط یا هر پارتیشن، با یا بدون مکش باشد.
پارامترهای فنی
