رسوب لایه اتمی (ALD) یک فناوری رسوب بخار شیمیایی است که لایه به لایه لایه های نازک را با تزریق متناوب دو یا چند مولکول پیش ساز رشد می دهد. ALD دارای مزایای کنترل و یکنواختی بالا است و می تواند به طور گسترده در دستگاه های نیمه هادی، دستگاه های الکترونیک نوری، دستگاه های ذخیره انرژی و سایر زمینه ها استفاده شود. اصول اولیه ALD شامل جذب پیش ساز، واکنش سطحی و حذف محصول جانبی است و مواد چند لایه را می توان با تکرار این مراحل در یک چرخه تشکیل داد. ALD دارای ویژگی ها و مزایای کنترل پذیری بالا، یکنواختی و ساختار غیر متخلخل است و می تواند برای رسوب گذاری انواع مواد بستر و مواد مختلف مورد استفاده قرار گیرد.
ALD دارای ویژگی ها و مزایای زیر است:
1. قابلیت کنترل بالا:از آنجایی که ALD یک فرآیند رشد لایه به لایه است، ضخامت و ترکیب هر لایه از مواد را می توان دقیقاً کنترل کرد.
2. یکنواختی:ALD می تواند مواد را به طور یکنواخت بر روی کل سطح بستر رسوب کند و از ناهمواری هایی که ممکن است در سایر فناوری های رسوب گذاری رخ دهد جلوگیری کند.
3. ساختار غیر متخلخل:از آنجایی که ALD در واحدهای تک اتم یا مولکول منفرد رسوب می‌کند، فیلم حاصل معمولاً ساختاری متراکم و غیر متخلخل دارد.
4. عملکرد پوشش خوب:ALD می تواند به طور موثر ساختارهای با نسبت تصویر بالا، مانند آرایه های نانوحفره، مواد با تخلخل بالا و غیره را پوشش دهد.
5. مقیاس پذیری:ALD را می توان برای انواع مواد زیرلایه از جمله فلزات، نیمه هادی ها، شیشه و غیره استفاده کرد.
6. تطبیق پذیری:با انتخاب مولکول های پیش ساز مختلف می توان انواع مختلفی از مواد مختلف مانند اکسیدهای فلزی، سولفیدها، نیتریدها و غیره را در فرآیند ALD رسوب داد.
