حلقه پوشش داده شده با کاربید تانتالم (TaC).

توضیحات کوتاه:

پوشش کاربید تانتالوم یک فناوری پیشرفته پوشش سطحی است که از مواد کاربید تانتالیوم برای تشکیل یک لایه محافظ سخت، مقاوم در برابر سایش و مقاوم در برابر خوردگی بر روی سطح بستر استفاده می کند. این پوشش دارای خواص بسیار خوبی است که به طور قابل توجهی باعث افزایش سختی، مقاومت در برابر دمای بالا و مقاومت شیمیایی و در عین حال کاهش اصطکاک و سایش می شود. پوشش های کاربید تانتالیوم به طور گسترده در زمینه های مختلف از جمله تولید صنعتی، هوافضا، مهندسی خودرو و تجهیزات پزشکی برای افزایش عمر مواد، بهبود کارایی تولید و کاهش هزینه های نگهداری استفاده می شود. پوشش‌های کاربید تانتالیوم چه برای محافظت از سطوح فلزی در برابر خوردگی یا افزایش مقاومت در برابر سایش و مقاومت در برابر اکسیداسیون قطعات مکانیکی، راه‌حلی مطمئن برای کاربردهای مختلف ارائه می‌کنند.


جزئیات محصول

برچسب های محصول

Semicera پوشش های تخصصی کاربید تانتالیوم (TaC) را برای اجزا و حامل های مختلف ارائه می دهد.فرآیند پوشش پیشرو Semicera، پوشش‌های کاربید تانتالیوم (TaC) را قادر می‌سازد تا به خلوص بالا، پایداری در دمای بالا و تحمل شیمیایی بالا دست پیدا کنند و کیفیت محصول کریستال‌های SIC/GAN و لایه‌های EPI را بهبود بخشد.گیرنده TaC پوشش داده شده با گرافیت، و افزایش عمر اجزای اصلی راکتور. استفاده از پوشش TaC کاربید تانتالم برای حل مشکل لبه و بهبود کیفیت رشد کریستال است و Semicera Semicera موفق شده است فناوری پوشش کاربید تانتالم (CVD) را حل کند و به سطح پیشرفته بین المللی برسد.

 

پس از سال‌ها توسعه، Semicera توانسته است فناوری را فتح کندCVD TaCبا تلاش مشترک بخش تحقیق و توسعه نقص در فرآیند رشد ویفرهای SiC به راحتی رخ می دهد، اما پس از استفادهTaC، تفاوت قابل توجه است. در زیر مقایسه ای از ویفرها با و بدون TaC و همچنین قطعات Simicera برای رشد تک کریستال آورده شده است.

微信图片_20240227150045

با و بدون TaC

微信图片_20240227150053

پس از استفاده از TaC (سمت راست)

علاوه بر این، عمر مفید محصولات پوشش TaC Semicera نسبت به پوشش SiC طولانی تر و در برابر دمای بالا مقاوم است. پس از مدت زمان طولانی داده های اندازه گیری آزمایشگاهی، TaC ما می تواند برای مدت طولانی در حداکثر دمای 2300 درجه سانتیگراد کار کند. در زیر برخی از نمونه های ما آمده است:

微信截图_20240227145010

(الف) نمودار شماتیک دستگاه رشد شمش تک کریستال SiC به روش PVT (ب) براکت بذر با پوشش TaC بالا (شامل دانه SiC) (ج) حلقه راهنمای گرافیت با پوشش TAC

ZDFVzCFV
ویژگی اصلی
محل کار Semicera
محل کار Semicera 2
دستگاه تجهیزات
پردازش CNN، تمیز کردن شیمیایی، پوشش CVD
خدمات ما

  • قبلی:
  • بعدی: