Semicera پوشش های تخصصی کاربید تانتالیوم (TaC) را برای اجزا و حامل های مختلف ارائه می دهد.فرآیند پوشش پیشرو Semicera، پوشش‌های کاربید تانتالیوم (TaC) را قادر می‌سازد تا به خلوص بالا، پایداری در دمای بالا و تحمل شیمیایی بالا دست پیدا کنند و کیفیت محصول کریستال‌های SIC/GAN و لایه‌های EPI را بهبود بخشد.گیرنده TaC پوشش داده شده با گرافیت، و افزایش عمر اجزای اصلی راکتور. استفاده از پوشش TaC کاربید تانتالم برای حل مشکل لبه و بهبود کیفیت رشد کریستال است و Semicera موفق شده است فناوری پوشش کاربید تانتالم (CVD) را حل کند و به سطح پیشرفته بین المللی برسد.
با و بدون TaC
پس از استفاده از TaC (سمت راست)
علاوه بر این، عمر مفید محصولات پوشش TaC Semicera نسبت به پوشش SiC طولانی تر و در برابر دمای بالا مقاوم است. پس از مدت زمان طولانی داده های اندازه گیری آزمایشگاهی، TaC ما می تواند برای مدت طولانی در حداکثر دمای 2300 درجه سانتیگراد کار کند. در زیر برخی از نمونه های ما آمده است:
(الف) نمودار شماتیک دستگاه رشد شمش تک کریستال SiC به روش PVT (ب) براکت بذر با پوشش TaC بالا (شامل دانه SiC) (ج) حلقه راهنمای گرافیت با پوشش TAC
