Semicera نیمه هادی با کیفیت بالا معرفی می کندپاروهای کنسول کاربید سیلیکونطراحی شده برای پاسخگویی به نیازهای سختگیرانه تولید نیمه هادی های مدرن.
ایندست و پا زدن کاربید سیلیکوندارای طراحی پیشرفته ای است که انبساط حرارتی و تاب خوردگی را به حداقل می رساند و در شرایط سخت بسیار قابل اعتماد است. ساختار مستحکم آن دوام بیشتری را ارائه می‌کند و خطر شکستگی یا سایش را کاهش می‌دهد، که برای حفظ بازده بالا و کیفیت تولید ثابت بسیار مهم است. اینقایق ویفرطراحی همچنین به طور یکپارچه با تجهیزات پردازش نیمه هادی استاندارد ادغام می شود و سازگاری و سهولت استفاده را تضمین می کند.
یکی از ویژگی های برجسته Semiceraدست و پا زدن SiCمقاومت شیمیایی آن است که به آن اجازه می دهد در محیط هایی که در معرض گازها و مواد شیمیایی خورنده هستند عملکرد فوق العاده ای داشته باشد. تمرکز Semicera بر سفارشی‌سازی، امکان راه‌حل‌های متناسب را فراهم می‌کند.
| خواص فیزیکی کاربید سیلیسیم تبلور مجدد | |
| اموال | ارزش معمولی |
| دمای کاری (درجه سانتیگراد) | 1600 درجه سانتی گراد (با اکسیژن)، 1700 درجه سانتی گراد (محیط کاهنده) |
| محتوای SiC | > 99.96٪ |
| محتوای Si رایگان | < 0.1٪ |
| چگالی ظاهری | 2.60-2.70 گرم در سانتی متر3 |
| تخلخل ظاهری | < 16% |
| قدرت فشاری | > 600 مگاپاسکال |
| قدرت خمش سرد | 80-90 مگاپاسکال (20 درجه سانتیگراد) |
| قدرت خمش گرم | 90-100 مگاپاسکال (1400 درجه سانتیگراد) |
| انبساط حرارتی @1500 درجه سانتیگراد | 4.70 10-6/ درجه سانتیگراد |
| هدایت حرارتی @1200 درجه سانتیگراد | 23 W/m•K |
| مدول الاستیک | 240 گیگا پاسکال |
| مقاومت در برابر شوک حرارتی | فوق العاده خوب |
