ویفر باندینگ LiNbO3 Semicera برای پاسخگویی به نیازهای بالای تولید نیمه هادی های پیشرفته طراحی شده است. این ویفر با خواص استثنایی خود، از جمله مقاومت در برابر سایش، پایداری حرارتی بالا و خلوص فوق العاده، برای استفاده در کاربردهایی که نیاز به دقت و عملکرد طولانی مدت دارند، ایده آل است.
در صنعت نیمه هادی، ویفرهای پیوند LiNbO3 معمولاً برای اتصال لایه های نازک در دستگاه های الکترونیک نوری، حسگرها و آی سی های پیشرفته استفاده می شوند. آنها در فوتونیک و MEMS (سیستم های میکرو الکترومکانیکی) به دلیل خواص دی الکتریک عالی و توانایی مقاومت در برابر شرایط عملیاتی سخت، ارزش خاصی دارند. ویفر باندینگ LiNbO3 Semicera برای پشتیبانی از اتصال لایه دقیق طراحی شده است و عملکرد کلی و قابلیت اطمینان دستگاه های نیمه هادی را افزایش می دهد.
| خواص حرارتی و الکتریکی LiNbO3 | |
| نقطه ذوب | 1250 ℃ |
| دمای کوری | 1140 ℃ |
| هدایت حرارتی | 38 W/m/K @ 25 ℃ |
| ضریب انبساط حرارتی (@ 25 درجه سانتیگراد) | //a，2.0×10-6/ ک //c، 2.2×10-6/ ک |
| مقاومت | 2×10-6Ω·cm @ 200 ℃ |
| ثابت دی الکتریک | εS11/ε0=43，εT11/ε0=78 εS33/ε0=28，εT33/ε0=2 |
| ثابت پیزوالکتریک | D22=2.04×10-11C/N D33=19.22×10-11C/N |
| ضریب الکترواپتیک | γT33= 32 pm/V، γS33=31 بعد از ظهر/V، γT31= 10 pm/V، γS31=8.6 بعد از ظهر/V، γT22= 6.8 بعد از ظهر/V， γS22= 3.4 بعد از ظهر / V، |
| ولتاژ نیمه موج، DC | 3.03 کیلو ولت 4.02 کیلو ولت |
ویفر باندینگ LiNbO3 که با استفاده از مواد با کیفیت بالا ساخته شده است، قابلیت اطمینان پایدار را حتی در شرایط سخت تضمین می کند. پایداری حرارتی بالا آن را به ویژه برای محیط‌هایی که دماهای بالا دارند، مانند محیط‌هایی که در فرآیندهای اپیتاکسی نیمه‌رسانا یافت می‌شوند، مناسب می‌سازد. علاوه بر این، خلوص بالای ویفر حداقل آلودگی را تضمین می کند و آن را به یک انتخاب قابل اعتماد برای کاربردهای نیمه هادی حیاتی تبدیل می کند.
در Semicera، ما متعهد به ارائه راه حل های پیشرو در صنعت هستیم. ویفر باندینگ LiNbO3 ما دوام بی‌نظیر و قابلیت‌های کارایی بالا را برای کاربردهایی که به خلوص بالا، مقاومت در برابر سایش و پایداری حرارتی نیاز دارند، ارائه می‌کند. چه برای تولید نیمه هادی های پیشرفته یا سایر فناوری های تخصصی، این ویفر به عنوان یک جزء ضروری برای ساخت دستگاه های پیشرفته عمل می کند.
