-
SiC Coating Wheel Gear: افزایش کارایی تولید نیمه هادی
در زمینه به سرعت در حال پیشرفت تولید نیمه هادی ها، دقت و دوام تجهیزات برای دستیابی به بازده و کیفیت بالا بسیار مهم است. یکی از اجزای کلیدی که این امر را تضمین می کند، چرخ دنده پوشش SiC است که برای بهبود کارایی فرآیندها طراحی شده است.ادامه مطلب -
لوله محافظ کوارتز چیست؟ | نیمه سر
لوله محافظ کوارتز یک جزء ضروری در کاربردهای مختلف صنعتی است که به دلیل عملکرد عالی در شرایط سخت شناخته شده است. در Semicera، ما لوله‌های محافظ کوارتز را تولید می‌کنیم که برای دوام و قابلیت اطمینان بالا در محیط‌های سخت طراحی شده‌اند. با شخصیت برجسته...ادامه مطلب -
لوله فرآیند CVD Coated چیست؟ | نیمه سر
لوله فرآیند با پوشش CVD یک جزء حیاتی است که در محیط‌های مختلف تولیدی با دمای بالا و خلوص بالا، مانند تولید نیمه‌رسانا و فتوولتائیک استفاده می‌شود. در Semicera، ما در تولید لوله های فرآیند با پوشش CVD با کیفیت بالا تخصص داریم که فوق العاده...ادامه مطلب -
گرافیت ایزواستاتیک چیست؟ | نیمه سر
گرافیت ایزواستاتیک که به عنوان گرافیت ایزواستاتیک نیز شناخته می شود، به روشی اشاره دارد که در آن مخلوطی از مواد خام به شکل بلوک های مستطیلی یا گرد در سیستمی به نام پرس ایزواستاتیک سرد (CIP) فشرده می شود. پرس ایزواستاتیک سرد یک روش پردازش مواد است که در...ادامه مطلب -
کاربید تانتالیوم چیست؟ | نیمه سر
کاربید تانتالیوم یک ماده سرامیکی بسیار سخت است که به دلیل خواص استثنایی خود به ویژه در محیط های با دمای بالا شناخته شده است. در Semicera، ما در ارائه کاربید تانتالیم با کیفیت بالا تخصص داریم که عملکرد برتر را در صنایعی که نیاز به مواد پیشرفته برای ...ادامه مطلب -
لوله هسته کوره کوارتز چیست؟ | نیمه سر
لوله هسته کوره کوارتز یک جزء ضروری در محیط های مختلف پردازش با دمای بالا است که به طور گسترده در صنایعی مانند ساخت نیمه هادی، متالورژی و پردازش شیمیایی استفاده می شود. ما در Semicera در تولید لوله های هسته کوره کوارتز با کیفیت بالا تخصص داریم که ...ادامه مطلب -
فرآیند اچینگ خشک
فرآیند اچ خشک معمولاً از چهار حالت اصلی تشکیل شده است: قبل از اچ، اچ جزئی، فقط اچ کردن و اچ کردن بیش از حد. مشخصه های اصلی عبارتند از سرعت اچینگ، گزینش پذیری، بعد بحرانی، یکنواختی و تشخیص نقطه پایانی. شکل 1 قبل از اچ کردن شکل 2 حکاکی جزئی شکل...ادامه مطلب -
SiC Paddle در تولید نیمه هادی
در حوزه تولید نیمه هادی ها، پدل SiC نقش مهمی را ایفا می کند، به ویژه در روند رشد همپایی. به عنوان یک جزء کلیدی مورد استفاده در سیستم‌های MOCVD (رسوب بخار شیمیایی آلی فلزی)، پدل‌های SiC برای تحمل دماهای بالا و ...ادامه مطلب -
ویفر پادل چیست؟ | نیمه سر
دست و پا زدن ویفر یک جزء حیاتی است که در صنایع نیمه هادی و فتوولتائیک برای کنترل ویفرها در فرآیندهای با دمای بالا استفاده می شود. در Semicera، ما به توانایی های پیشرفته خود برای تولید پاروهای ویفر با کیفیت بالا که نیازهای سختگیرانه را برآورده می کند، افتخار می کنیم.ادامه مطلب -
فرآیند و تجهیزات نیمه هادی (7/7) - فرآیند و تجهیزات رشد لایه نازک
1. مقدمه فرآیند چسباندن مواد (مواد اولیه) به سطح مواد زیرلایه با روش های فیزیکی یا شیمیایی رشد لایه نازک نامیده می شود. با توجه به اصول کار مختلف، رسوب لایه نازک مدار مجتمع را می توان به موارد زیر تقسیم کرد: - رسوب گذاری فیزیکی بخار. پ...ادامه مطلب -
فرآیند و تجهیزات نیمه هادی (6/7) - فرآیند و تجهیزات کاشت یون
1. مقدمه کاشت یون یکی از فرآیندهای اصلی در تولید مدار مجتمع است. این به فرآیند شتاب دادن یک پرتو یونی به یک انرژی خاص (به طور کلی در محدوده keV تا MeV) و سپس تزریق آن به سطح یک ماده جامد برای تغییر پایه فیزیکی اشاره دارد.ادامه مطلب -
فرآیند و تجهیزات نیمه هادی (5/7) - فرآیند و تجهیزات اچینگ
یک مقدمه اچینگ در فرآیند تولید مدار مجتمع به دو دسته تقسیم می شود: - اچینگ مرطوب؛ - اچینگ خشک. در روزهای اولیه، حکاکی مرطوب به طور گسترده ای مورد استفاده قرار می گرفت، اما به دلیل محدودیت های آن در کنترل عرض خط و جهت اچینگ، اکثر فرآیندها پس از 3μm از اچ خشک استفاده می کنند. حکاکی مرطوب ...ادامه مطلب