-
اپیتاکسی چیست؟
اکثر مهندسان با اپیتاکسی که نقش مهمی در ساخت دستگاه های نیمه هادی ایفا می کند، آشنایی ندارند. اپیتاکسی را می توان در محصولات تراشه ای مختلف استفاده کرد و محصولات مختلف دارای انواع اپیتاکسی از جمله اپیتاکسی Si، اپیتاکسی SiC، اپیتاکسی GaN و ... هستند. اپیتاکسی چیست؟ اپیتاکسی من...ادامه مطلب -
پارامترهای مهم SiC چیست؟
کاربید سیلیکون (SiC) یک ماده نیمه رسانای باند گسترده مهم است که به طور گسترده در دستگاه های الکترونیکی با قدرت و فرکانس بالا استفاده می شود. در زیر برخی از پارامترهای کلیدی ویفرهای کاربید سیلیکون و توضیحات دقیق آنها آورده شده است: پارامترهای شبکه: اطمینان حاصل کنید که...ادامه مطلب -
چرا سیلیکون تک کریستال نیاز به نورد دارد؟
نورد به فرآیند آسیاب کردن قطر خارجی یک میله تک کریستال سیلیکونی به یک میله تک کریستالی با قطر مورد نیاز با استفاده از چرخ سنگ زنی الماس و آسیاب کردن سطح مرجع لبه صاف یا شیار تعیین موقعیت میله تک کریستال اشاره دارد. قطر خارجی سطح ...ادامه مطلب -
فرآیندهای تولید پودرهای سی سی با کیفیت بالا
کاربید سیلیکون (SiC) یک ترکیب معدنی است که به دلیل خواص استثنایی آن شناخته شده است. سی سی سی که به طور طبیعی وجود دارد، معروف به موسانیت، بسیار نادر است. در کاربردهای صنعتی، کاربید سیلیکون عمدتاً از طریق روش‌های مصنوعی تولید می‌شود. در Semicera Semiconductor، ما از تکنیک‌های پیشرفته استفاده می‌کنیم.ادامه مطلب -
کنترل یکنواختی مقاومت شعاعی در طول کشش کریستال
دلایل اصلی مؤثر بر یکنواختی مقاومت شعاعی تک بلورها، مسطح بودن سطح مشترک جامد-مایع و اثر صفحه کوچک در طول رشد کریستال است. ، ...ادامه مطلب -
چرا کوره تک کریستال میدان مغناطیسی می تواند کیفیت تک کریستال را بهبود بخشد
از آنجایی که از بوته به عنوان ظرف استفاده می شود و در داخل آن همرفت وجود دارد، با افزایش اندازه تک بلور تولید شده، کنترل همرفت گرما و یکنواختی گرادیان دما دشوارتر می شود. با افزودن میدان مغناطیسی برای اعمال مذاب رسانا بر روی نیروی لورنتس، همرفت می‌تواند...ادامه مطلب -
رشد سریع تک بلورهای SiC با استفاده از منبع حجیم CVD-SiC به روش تصعید
رشد سریع تک کریستال SiC با استفاده از منبع حجیم CVD-SiC از طریق روش تصعید با استفاده از بلوک های بازیافتی CVD-SiC به عنوان منبع SiC، کریستال های SiC با سرعت 1.46 میلی متر در ساعت از طریق روش PVT با موفقیت رشد کردند. میکرولوله کریستال رشد کرده و چگالی جابجایی نشان می دهد که د...ادامه مطلب -
محتوای بهینه شده و ترجمه شده در تجهیزات رشد همپایی سیلیکون کاربید
بسترهای کاربید سیلیکون (SiC) دارای عیوب متعددی هستند که از پردازش مستقیم جلوگیری می کند. برای ایجاد ویفرهای تراشه ای، یک فیلم تک کریستالی خاص باید بر روی بستر SiC از طریق فرآیند همپایی رشد داده شود. این فیلم به لایه اپیتاکسیال معروف است. تقریباً تمام دستگاه‌های SiC بر روی همپایی ساخته می‌شوند...ادامه مطلب -
نقش حیاتی و موارد کاربرد گیرنده‌های گرافیت با پوشش SiC در ساخت نیمه‌رسانا
Semicera Semiconductor قصد دارد تولید قطعات اصلی تجهیزات تولید نیمه هادی را در سطح جهانی افزایش دهد. تا سال 2027، هدف ما ایجاد یک کارخانه جدید به مساحت 20000 متر مربع با سرمایه گذاری کل 70 میلیون دلار است. یکی از اجزای اصلی ما، کاربید سیلیکون (SiC) ویفر...ادامه مطلب -
چرا باید اپیتاکسی را روی بسترهای ویفر سیلیکونی انجام دهیم؟
در زنجیره صنعت نیمه هادی، به ویژه در زنجیره صنعت نیمه هادی نسل سوم (نیمه هادی باندگپ گسترده)، زیرلایه ها و لایه های همپایی وجود دارد. اهمیت لایه اپیتاکسیال چیست؟ تفاوت بین بستر و بستر چیست؟ زیر خ...ادامه مطلب -
فرآیند تولید نیمه هادی – فناوری اچ
برای تبدیل ویفر به نیمه هادی به صدها فرآیند نیاز است. یکی از مهمترین فرآیندها حکاکی است - یعنی حک کردن الگوهای مدار ظریف روی ویفر. موفقیت فرآیند اچ کردن به مدیریت متغیرهای مختلف در محدوده توزیع مجموعه ای بستگی دارد و هر اچ ...ادامه مطلب -
ماده ایده آل برای حلقه های فوکوس در تجهیزات اچینگ پلاسما: سیلیکون کاربید (SiC)
در تجهیزات اچ پلاسما، اجزای سرامیکی نقش مهمی دارند، از جمله حلقه فوکوس. حلقه فوکوس که در اطراف ویفر قرار گرفته و در تماس مستقیم با آن است، برای متمرکز کردن پلاسما روی ویفر با اعمال ولتاژ به حلقه ضروری است. این امر سازمان ملل را تقویت می کند ...ادامه مطلب