به عنوان یکی از اجزای اصلیتجهیزات MOCVDپایه گرافیتی حامل و بدنه گرم کننده زیرلایه است که مستقیماً یکنواختی و خلوص مواد فیلم را تعیین می کند، بنابراین کیفیت آن مستقیماً بر آماده سازی ورق اپیتاکسیال تأثیر می گذارد و در عین حال با افزایش تعداد لایه ها. استفاده و تغییر شرایط کار، پوشیدن آن بسیار آسان است، متعلق به مواد مصرفی.
اگرچه گرافیت دارای رسانایی و پایداری حرارتی عالی است، اما به عنوان یک جزء پایه از مزیت خوبی برخوردار استتجهیزات MOCVD، اما در فرآیند تولید گرافیت به دلیل باقی ماندن گازهای خورنده و آلی فلزی باعث خوردگی پودر می شود و عمر مفید پایه گرافیت بسیار کاهش می یابد. در عین حال، ریزش پودر گرافیت باعث آلودگی تراشه می شود.
ظهور فناوری پوشش می تواند تثبیت پودر سطحی را فراهم کند، هدایت حرارتی را افزایش دهد و توزیع گرما را یکسان کند، که به فناوری اصلی برای حل این مشکل تبدیل شده است. پایه گرافیت درتجهیزات MOCVDمحیط استفاده، پوشش سطح پایه گرافیت باید ویژگی های زیر را داشته باشد:
(1) پایه گرافیت را می توان به طور کامل پیچیده کرد و چگالی آن خوب است، در غیر این صورت پایه گرافیت به راحتی در گاز خورنده خورده می شود.
(2) استحکام ترکیب با پایه گرافیت بالا است تا اطمینان حاصل شود که پس از چندین دوره دمای بالا و دمای پایین به راحتی از بین نمی رود.
(3) پایداری شیمیایی خوبی برای جلوگیری از شکست پوشش در دمای بالا و جو خورنده دارد.
SiC دارای مزایای مقاومت در برابر خوردگی، هدایت حرارتی بالا، مقاومت در برابر شوک حرارتی و پایداری شیمیایی بالا است و می تواند در اتمسفر همپای GaN به خوبی کار کند. علاوه بر این، ضریب انبساط حرارتی SiC بسیار کمی با گرافیت متفاوت است، بنابراین SiC ماده ترجیحی برای پوشش سطح پایه گرافیت است.
در حال حاضر، SiC رایج عمدتاً از نوع 3C، 4H و 6H است و کاربردهای SiC انواع کریستال های مختلف متفاوت است. به عنوان مثال، 4H-SiC می تواند دستگاه های پرقدرت تولید کند. 6H-SiC پایدارترین است و می تواند دستگاه های فوتوالکتریک را تولید کند. به دلیل ساختار مشابه با GaN، 3C-SiC می تواند برای تولید لایه همپای GaN و ساخت دستگاه های SiC-GaN RF استفاده شود. 3C-SiC نیز معمولا به عنوان شناخته شده استβ-SiC، و استفاده مهم ازβ-SiC به عنوان یک فیلم و مواد پوشش است، بنابراینβ-SiC در حال حاضر ماده اصلی برای پوشش است.
زمان ارسال: نوامبر-06-2023