-
چرا دستگاه های نیمه هادی به یک "لایه اپیتاکسیال" نیاز دارند
منشاء نام "ویفر اپیتاکسیال" آماده سازی ویفر از دو مرحله اصلی تشکیل شده است: آماده سازی بستر و فرآیند اپیتاکسیال. زیرلایه از مواد تک کریستال نیمه هادی ساخته شده است و معمولاً برای تولید دستگاه های نیمه هادی پردازش می شود. همچنین می تواند تحت عمل اپیتاکسیال قرار گیرد...ادامه مطلب -
سرامیک سیلیکون نیترید چیست؟
سرامیک های نیترید سیلیکون (Si3N4)، به عنوان سرامیک های ساختاری پیشرفته، دارای خواص عالی مانند مقاومت در برابر دمای بالا، استحکام بالا، چقرمگی بالا، سختی بالا، مقاومت در برابر خزش، مقاومت در برابر اکسیداسیون و مقاومت در برابر سایش هستند. علاوه بر این، آنها ت...ادامه مطلب -
SK Siltron وام 544 میلیون دلاری از DOE برای توسعه تولید ویفر کاربید سیلیکون دریافت می کند.
وزارت انرژی ایالات متحده (DOE) اخیراً وام 544 میلیون دلاری (شامل 481.5 میلیون دلار اصل و 62.5 میلیون دلار سود) به SK Siltron، تولید کننده ویفر نیمه هادی تحت گروه SK، برای حمایت از توسعه کاربید سیلیکون با کیفیت بالا (SiC) تصویب کرد. ...ادامه مطلب -
سیستم ALD چیست (رسوب لایه اتمی)
Semicera ALD Susceptors: فعال کردن رسوب لایه اتمی با دقت و قابلیت اطمینان، رسوب لایه اتمی (ALD) یک تکنیک پیشرفته است که دقت مقیاس اتمی را برای رسوب گذاری لایه های نازک در صنایع مختلف با تکنولوژی بالا، از جمله الکترونیک، انرژی و... ارائه می دهد.ادامه مطلب -
Front End of Line (FEOL): گذاشتن پایه
قسمت های جلویی، میانی و پشتی خطوط تولید نیمه هادی ها فرآیند ساخت نیمه هادی ها را می توان تقریباً به سه مرحله تقسیم کرد: 1) انتهای خط2) انتهای خط3) انتهای خط می توانیم از یک قیاس ساده مانند ساخت خانه استفاده کنیم. برای کشف روند پیچیده ...ادامه مطلب -
بحث مختصری در مورد فرآیند پوشش مقاوم به نور
روش های پوشش نور مقاوم به طور کلی به پوشش اسپین، پوشش غوطه وری و روکش رول تقسیم می شوند که در میان آنها پوشش اسپین بیشترین استفاده را دارد. با پوشش چرخشی، فوتوریست روی زیرلایه چکه می‌شود و می‌توان بستر را با سرعت بالا چرخاند تا به دست آید.ادامه مطلب -
Photoresist: مواد هسته ای با موانع زیاد برای ورود نیمه هادی ها
Photoresist در حال حاضر به طور گسترده در پردازش و تولید مدارهای گرافیکی خوب در صنعت اطلاعات نوری استفاده می شود. هزینه فرآیند فوتولیتوگرافی حدود 35 درصد از کل فرآیند تولید تراشه و زمان مصرف 40 درصد تا 60 ...ادامه مطلب -
آلودگی سطح ویفر و روش تشخیص آن
تمیزی سطح ویفر تا حد زیادی بر میزان کیفیت فرآیندها و محصولات نیمه هادی بعدی تأثیر می گذارد. تا 50 درصد از کل تلفات محصول ناشی از آلودگی سطح ویفر است. اشیایی که می توانند باعث تغییرات کنترل نشده در عملکرد الکتریکی شوند...ادامه مطلب -
تحقیق در مورد فرآیند و تجهیزات پیوند قالب نیمه هادی
مطالعه بر روی فرآیند باندینگ قالب نیمه هادی، از جمله فرآیند باندینگ چسب، فرآیند پیوند یوتکتیک، فرآیند اتصال لحیم نرم، فرآیند پیوند زینترینگ نقره، فرآیند اتصال پرس گرم، فرآیند اتصال تراشه‌های فلیپ. انواع و شاخص های فنی مهم ...ادامه مطلب -
در یک مقاله با فناوری سیلیکون از طریق (TSV) و از طریق شیشه از طریق (TGV) آشنا شوید
فناوری بسته بندی یکی از مهمترین فرآیندها در صنعت نیمه هادی است. با توجه به شکل بسته، می توان آن را به بسته سوکت، بسته نصب روی سطح، بسته BGA، بسته اندازه تراشه (CSP)، بسته ماژول تک تراشه (SCM، شکاف بین سیم کشی روی ... تقسیم کرد.ادامه مطلب -
ساخت تراشه: تجهیزات و فرآیند اچینگ
در فرآیند تولید نیمه هادی، فناوری اچینگ یک فرآیند حیاتی است که برای حذف دقیق مواد ناخواسته روی بستر برای تشکیل الگوهای مدار پیچیده استفاده می شود. این مقاله دو فناوری اصلی اچینگ را با جزئیات معرفی می کند - پلاسمای کوپل شده خازنی...ادامه مطلب -
فرآیند دقیق ساخت نیمه هادی ویفر سیلیکونی
ابتدا سیلیکون پلی کریستال و مواد ناخالص را داخل بوته کوارتز در کوره تک بلور قرار دهید و دما را به بیش از 1000 درجه افزایش دهید و سیلیکون پلی کریستالی را در حالت مذاب بدست آورید. رشد شمش سیلیکون فرآیندی است که در آن سیلیکون پلی کریستالی به تک کریستال تبدیل می شود.ادامه مطلب