اخبار صنعت

  • پایداری حرارتی اجزای کوارتز در صنعت نیمه هادی

    پایداری حرارتی اجزای کوارتز در صنعت نیمه هادی

    مقدمه در صنعت نیمه هادی، پایداری حرارتی برای اطمینان از عملکرد قابل اعتماد و کارآمد اجزای حیاتی از اهمیت بالایی برخوردار است. کوارتز، یک شکل کریستالی از دی اکسید سیلیکون (SiO2)، به دلیل خواص پایداری حرارتی استثنایی خود به رسمیت شناخته شده است. تی...
    ادامه مطلب
  • مقاومت در برابر خوردگی پوشش های کاربید تانتالم در صنعت نیمه هادی

    مقاومت در برابر خوردگی پوشش های کاربید تانتالم در صنعت نیمه هادی

    عنوان: مقاومت در برابر خوردگی پوشش های کاربید تانتالم در صنعت نیمه هادی ها مقدمه در صنعت نیمه هادی ها، خوردگی یک چالش مهم برای طول عمر و عملکرد اجزای حیاتی است. پوشش های کاربید تانتالم (TaC) به عنوان یک راه حل امیدوار کننده ظاهر شده اند ...
    ادامه مطلب
  • چگونه مقاومت ورق یک لایه نازک را اندازه گیری کنیم؟

    چگونه مقاومت ورق یک لایه نازک را اندازه گیری کنیم؟

    لایه های نازک مورد استفاده در ساخت نیمه هادی ها همگی دارای مقاومت هستند و مقاومت فیلم تأثیر مستقیمی بر عملکرد دستگاه دارد. ما معمولاً مقاومت مطلق فیلم را اندازه گیری نمی کنیم، بلکه از مقاومت ورق برای مشخص کردن آن استفاده می کنیم. مقاومت ورق و مقاومت حجمی چیست ...
    ادامه مطلب
  • آیا استفاده از پوشش کاربید سیلیکون CVD می تواند به طور موثر عمر کاری قطعات را بهبود بخشد؟

    آیا استفاده از پوشش کاربید سیلیکون CVD می تواند به طور موثر عمر کاری قطعات را بهبود بخشد؟

    پوشش کاربید سیلیکون CVD یک فناوری است که یک لایه نازک را بر روی سطح اجزا تشکیل می دهد که می تواند باعث شود قطعات مقاومت در برابر سایش، مقاومت در برابر خوردگی، مقاومت در برابر دمای بالا و سایر خواص بهتری داشته باشند. این ویژگی های عالی باعث می شود که پوشش های کاربید سیلیکون CVD به طور گسترده ای در ...
    ادامه مطلب
  • آیا پوشش های کاربید سیلیکون CVD خاصیت میرایی عالی دارند؟

    آیا پوشش های کاربید سیلیکون CVD خاصیت میرایی عالی دارند؟

    بله، پوشش های کاربید سیلیکون CVD دارای خواص میرایی عالی هستند. میرایی به توانایی یک جسم برای اتلاف انرژی و کاهش دامنه ارتعاش هنگام قرار گرفتن در معرض لرزش یا ضربه اشاره دارد. در بسیاری از کاربردها، خواص میرایی بسیار مهم است...
    ادامه مطلب
  • نیمه هادی سیلیکون کاربید: آینده ای سازگار با محیط زیست و کارآمد

    نیمه هادی سیلیکون کاربید: آینده ای سازگار با محیط زیست و کارآمد

    در زمینه مواد نیمه هادی، کاربید سیلیکون (SiC) به عنوان یک نامزد امیدوارکننده برای نسل بعدی نیمه هادی های کارآمد و دوستدار محیط زیست ظاهر شده است. نیمه هادی های کاربید سیلیکون با خواص و پتانسیل منحصر به فرد خود، راه را برای پایداری بیشتر هموار می کنند.
    ادامه مطلب
  • چشم انداز کاربرد قایق های ویفر کاربید سیلیکون در زمینه نیمه هادی

    چشم انداز کاربرد قایق های ویفر کاربید سیلیکون در زمینه نیمه هادی

    در زمینه نیمه هادی، انتخاب مواد برای عملکرد دستگاه و توسعه فرآیند بسیار مهم است. در سال‌های اخیر، ویفرهای کاربید سیلیکون، به عنوان یک ماده در حال ظهور، توجه گسترده‌ای را به خود جلب کرده‌اند و پتانسیل زیادی برای کاربرد در زمینه نیمه‌رسانا نشان داده‌اند. سیلیکو...
    ادامه مطلب
  • چشم انداز کاربرد سرامیک کاربید سیلیکون در زمینه انرژی خورشیدی فتوولتائیک

    چشم انداز کاربرد سرامیک کاربید سیلیکون در زمینه انرژی خورشیدی فتوولتائیک

    در سال های اخیر، با افزایش تقاضای جهانی برای انرژی های تجدیدپذیر، انرژی خورشیدی فتوولتائیک به عنوان یک گزینه انرژی پاک و پایدار اهمیت فزاینده ای پیدا کرده است. در توسعه فناوری فتوولتائیک، علم مواد نقش مهمی ایفا می کند. در میان آنها، سرامیک کاربید سیلیکون، یک ...
    ادامه مطلب
  • روش تهیه قطعات گرافیتی با پوشش TaC معمولی

    روش تهیه قطعات گرافیتی با پوشش TaC معمولی

    روش PART/1CVD (رسوب بخار شیمیایی): در دمای 900-2300 درجه سانتیگراد، با استفاده از TaCl5 و CnHm به عنوان منابع تانتالیوم و کربن، H2 به عنوان اتمسفر کاهنده، Ar2 به عنوان گاز حامل، فیلم رسوب واکنش. پوشش تهیه شده فشرده، یکنواخت و با خلوص بالا است. با این حال، مشکلاتی وجود دارد ...
    ادامه مطلب
  • کاربرد قطعات گرافیتی با پوشش TaC

    کاربرد قطعات گرافیتی با پوشش TaC

    PART/1 بوته، نگهدارنده بذر و حلقه راهنما در کوره تک کریستال SiC و AIN با روش PVT رشد کردند همانطور که در شکل 2 نشان داده شده است [1]، زمانی که از روش انتقال فیزیکی بخار (PVT) برای تهیه SiC استفاده می شود، کریستال بذر در منطقه دمای نسبتا پایین، SiC r...
    ادامه مطلب
  • ساختار و فناوری رشد کاربید سیلیکون (Ⅱ)

    ساختار و فناوری رشد کاربید سیلیکون (Ⅱ)

    چهارم، روش انتقال فیزیکی بخار روش انتقال فیزیکی بخار (PVT) از فناوری تصعید فاز بخار که توسط Lely در سال 1955 اختراع شد نشات گرفته است. پودر SiC در یک لوله گرافیتی قرار می گیرد و تا دمای بالا برای تجزیه و تصعید Pow SiC حرارت داده می شود.
    ادامه مطلب
  • ساختار و فناوری رشد کاربید سیلیکون (Ⅰ)

    ساختار و فناوری رشد کاربید سیلیکون (Ⅰ)

    اول، ساختار و خواص کریستال SiC. SiC یک ترکیب دوتایی است که از عنصر Si و عنصر C در نسبت 1:1 یعنی 50٪ سیلیکون (Si) و 50٪ کربن (C) تشکیل شده است و واحد ساختاری اصلی آن چهار وجهی SI-C است. نمودار شماتیک چهار وجهی کاربید سیلیکون...
    ادامه مطلب