-
نکات کلیدی کنترل کیفیت فرآیند بسته بندی نیمه هادی
نکات کلیدی برای کنترل کیفیت در فرآیند بسته بندی نیمه هادی در حال حاضر، فناوری فرآیند بسته بندی نیمه هادی به طور قابل توجهی بهبود یافته و بهینه شده است. با این حال، از دیدگاه کلی، فرآیندها و روش های بسته بندی نیمه هادی هنوز به کامل ترین ...ادامه مطلب -
چالش ها در فرآیند بسته بندی نیمه هادی
تکنیک های فعلی برای بسته بندی نیمه هادی به تدریج در حال بهبود هستند، اما میزان استفاده از تجهیزات و فناوری های خودکار در بسته بندی نیمه هادی مستقیماً تحقق نتایج مورد انتظار را تعیین می کند. فرآیندهای بسته بندی نیمه هادی موجود هنوز هم دچار مشکل می شوند.ادامه مطلب -
تحقیق و تحلیل فرآیند بسته بندی نیمه هادی
بررسی اجمالی فرآیند نیمه هادی فرآیند نیمه هادی در درجه اول شامل بکارگیری فناوری های میکروساخت و فیلم برای اتصال کامل تراشه ها و سایر عناصر در مناطق مختلف مانند بسترها و قاب ها است. این امر استخراج پایانه های سرب و کپسوله سازی با ...ادامه مطلب -
روندهای جدید در صنعت نیمه هادی: کاربرد فناوری پوشش محافظ
صنعت نیمه هادی ها شاهد رشد بی سابقه ای است، به ویژه در حوزه الکترونیک قدرت کاربید سیلیکون (SiC). با توجه به اینکه بسیاری از فابریک های ویفر در مقیاس بزرگ در حال ساخت یا توسعه هستند تا تقاضای فزاینده ای برای دستگاه های SiC در خودروهای برقی برآورده شود، این ...ادامه مطلب -
مراحل اصلی در پردازش بسترهای SiC چیست؟
نحوه تولید مراحل پردازش زیرلایه های SiC به شرح زیر است: 1. جهت گیری کریستالی: استفاده از پراش اشعه ایکس برای جهت دهی شمش کریستال. هنگامی که یک پرتو اشعه ایکس به سمت کریستال مورد نظر هدایت می شود، زاویه پرتو پراش شده، جهت بلوری را تعیین می کند.ادامه مطلب -
یک ماده مهم که کیفیت رشد سیلیکون تک کریستال را تعیین می کند - میدان حرارتی
فرآیند رشد سیلیکون تک کریستال به طور کامل در زمینه حرارتی انجام می شود. یک میدان حرارتی خوب برای بهبود کیفیت کریستال مساعد است و راندمان کریستالیزاسیون بالایی دارد. طراحی میدان حرارتی تا حد زیادی تعیین کننده تغییرات و تغییرات...ادامه مطلب -
رشد اپیتاکسیال چیست؟
رشد اپیتاکسیال فناوری است که یک لایه تک کریستالی را روی یک بستر تک کریستالی (زیر لایه) با جهت کریستالی یکسانی به عنوان بستر رشد می کند، گویی کریستال اصلی به سمت بیرون کشیده شده است. این لایه تک کریستالی تازه رشد کرده می تواند از نظر درجه سانتی گراد با بستر متفاوت باشد.ادامه مطلب -
تفاوت بین بستر و اپیتاکسی چیست؟
در فرآیند تهیه ویفر، دو پیوند اصلی وجود دارد: یکی آماده سازی بستر، و دیگری اجرای فرآیند همپایی. بستر، ویفری است که با دقت از مواد تک کریستال نیمه هادی ساخته شده است، می تواند مستقیماً در تولید ویفر قرار داده شود.ادامه مطلب -
رونمایی از ویژگی های همه کاره بخاری های گرافیتی
بخاری های گرافیتی به دلیل خواص استثنایی و تطبیق پذیری خود به عنوان ابزاری ضروری در صنایع مختلف ظاهر شده اند. از آزمایشگاه‌ها گرفته تا تنظیمات صنعتی، این بخاری‌ها در فرآیندهای مختلف از سنتز مواد تا تکنیک‌های تحلیلی نقش اساسی دارند. در میان انواع مختلف ...ادامه مطلب -
توضیح مفصل در مورد مزایا و معایب اچینگ خشک و اچ مرطوب
در ساخت نیمه هادی، تکنیکی به نام "اچینگ" در حین پردازش یک بستر یا یک لایه نازک تشکیل شده روی زیرلایه وجود دارد. توسعه فناوری اچینگ در تحقق پیش بینی گوردون مور بنیانگذار اینتل در سال 1965 نقش داشته است که «...ادامه مطلب -
رونمایی از راندمان حرارتی بالا و پایداری ستاره ای هیترهای سیلیکون کاربید
بخاری های کاربید سیلیکون (SiC) در خط مقدم مدیریت حرارتی در صنعت نیمه هادی قرار دارند. این مقاله راندمان حرارتی استثنایی و پایداری قابل توجه بخاری‌های SiC را بررسی می‌کند و نقش حیاتی آنها را در تضمین عملکرد بهینه و قابلیت اطمینان در نیمه‌کانون روشن می‌کند.ادامه مطلب -
بررسی ویژگی‌های استحکام و سختی بالا قایق‌های ویفر کاربید سیلیکون
قایق های ویفر کاربید سیلیکون (SiC) نقش مهمی در صنعت نیمه هادی ایفا می کنند و تولید دستگاه های الکترونیکی با کیفیت بالا را تسهیل می کنند. این مقاله به بررسی ویژگی‌های قابل توجه قایق‌های ویفر SiC می‌پردازد، بر استحکام و سختی استثنایی آنها تمرکز می‌کند و نشانه‌های آنها را برجسته می‌کند.ادامه مطلب