کاربید سیلیکون فله CVD (SiC)
نمای کلی:CVDکاربید سیلیکون حجیم (SiC)یک ماده بسیار مورد توجه در تجهیزات اچ پلاسما، کاربردهای پردازش حرارتی سریع (RTP) و سایر فرآیندهای تولید نیمه هادی است. خواص استثنایی مکانیکی، شیمیایی و حرارتی آن، آن را به یک ماده ایده آل برای کاربردهای فناوری پیشرفته تبدیل می کند که به دقت و دوام بالایی نیاز دارند.
کاربردهای CVD Bulk SiC:SiC حجیم در صنعت نیمه هادی ها، به ویژه در سیستم های اچ پلاسما، که در آن اجزایی مانند حلقه های فوکوس، سر دوش گاز، حلقه های لبه و صفحات از مقاومت در برابر خوردگی و رسانایی حرارتی فوق العاده SiC بهره می برند، بسیار مهم است. استفاده از آن گسترش می یابدRTPسیستم‌ها به دلیل توانایی SiC برای مقاومت در برابر نوسانات سریع دما بدون تخریب قابل توجه.
علاوه بر تجهیزات اچینگ، CVDسی سی فلهدر کوره های انتشار و فرآیندهای رشد کریستال، که در آن پایداری حرارتی بالا و مقاومت در برابر محیط های شیمیایی خشن مورد نیاز است، مورد علاقه است. این ویژگی‌ها، SiC را به ماده انتخابی برای کاربردهای با تقاضای بالا شامل دماهای بالا و گازهای خورنده، مانند گازهای حاوی کلر و فلوئور تبدیل می‌کند.
مزایای کامپوننت های CVD Bulk SiC:
•چگالی بالا:با چگالی 3.2 گرم بر سانتی متر مکعب،سی سی سی فله CVDقطعات در برابر سایش و ضربه مکانیکی بسیار مقاوم هستند.
•هدایت حرارتی برتر:SiC حجیم با ارائه رسانایی حرارتی 300 W/m·K، گرما را مدیریت می کند و برای اجزایی که در معرض چرخه های حرارتی شدید قرار دارند ایده آل است.
•مقاومت شیمیایی استثنایی:واکنش پذیری کم SiC با گازهای حکاکی، از جمله کلر و مواد شیمیایی مبتنی بر فلوئور، عمر طولانی اجزا را تضمین می کند.
•مقاومت قابل تنظیم: سی سی سی های فله CVDمقاومت را می توان در محدوده 10-2-104 Ω-cm سفارشی کرد و آن را با نیازهای خاص تولید اچ و نیمه هادی سازگار می کند.
•ضریب انبساط حرارتی:با ضریب انبساط حرارتی 4.8 x 10-6/°C (25 تا 1000 درجه سانتی گراد)، سی سی سی سی فله ای CVD در برابر شوک حرارتی مقاومت می کند و ثبات ابعادی را حتی در چرخه های گرمایش و سرمایش سریع حفظ می کند.
•دوام در پلاسما:قرار گرفتن در معرض پلاسما و گازهای راکتیو در فرآیندهای نیمه هادی اجتناب ناپذیر است، اماسی سی سی فله CVDمقاومت برتر در برابر خوردگی و تخریب، کاهش فرکانس تعویض و هزینه های کلی تعمیر و نگهداری را ارائه می دهد.
مشخصات فنی:
•قطر:بزرگتر از 305 میلی متر
•مقاومت:قابل تنظیم در 10-2-104 Ω-cm
•تراکم:3.2 گرم در سانتی متر مکعب
•هدایت حرارتی:300 W/m·K
•ضریب انبساط حرارتی:4.8 x 10-6/°C (25-1000°C)
سفارشی سازی و انعطاف پذیری:درنیمه هادی نیمه هادی، ما درک می کنیم که هر برنامه نیمه هادی ممکن است به مشخصات متفاوتی نیاز داشته باشد. به همین دلیل است که اجزای SiC حجیم CVD ما کاملاً قابل تنظیم هستند، با مقاومت قابل تنظیم و ابعاد متناسب با نیازهای تجهیزات شما. چه در حال بهینه‌سازی سیستم‌های اچینگ پلاسما خود باشید و چه به دنبال اجزای بادوام در فرآیندهای RTP یا انتشار باشید، سی سی سی سی سی‌وی‌دی فله‌ای CVD عملکرد بی‌نظیری ارائه می‌دهد.
