نیمه سررا معرفی می کندکاست نیمه هادی، یک ابزار ضروری برای جابجایی ایمن و کارآمد ویفرها در طول فرآیند تولید نیمه هادی است. این کاست که با دقت بالا طراحی شده است، تضمین می کند که ویفرهای شما به طور ایمن ذخیره و حمل می شوند و یکپارچگی آنها در هر مرحله حفظ می شود.
حفاظت و دوام برتراینکاست نیمه هادیاز Semicera برای ارائه حداکثر محافظت از ویفرهای شما ساخته شده است. ساخته شده از مواد مقاوم و مقاوم در برابر آلودگی، از ویفرهای شما در برابر آسیب و آلودگی بالقوه محافظت می کند و آن را به گزینه ای ایده آل برای محیط های اتاق تمیز تبدیل می کند. طراحی کاست تولید ذرات را به حداقل می رساند و تضمین می کند که ویفرها در حین جابجایی و حمل و نقل دست نخورده و ایمن باقی می مانند.
طراحی پیشرفته برای عملکرد بهینهSemicera'sکاست نیمه هادیدارای طراحی دقیق مهندسی شده است که تراز دقیق ویفر را فراهم می کند و خطر ناهماهنگی و آسیب مکانیکی را کاهش می دهد. شکافهای کاست کاملاً با فاصله مناسبی قرار گرفتهاند تا هر ویفر را محکم نگه دارند و از هر گونه حرکتی که میتواند منجر به خراش یا نقص دیگر شود، جلوگیری میکند.
تطبیق پذیری و سازگاریاینکاست نیمه هادیهمه کاره است و با اندازه های مختلف ویفر سازگار است و برای مراحل مختلف ساخت نیمه هادی مناسب است. چه با ابعاد استاندارد یا سفارشی ویفر کار می کنید، این کاست با نیازهای شما سازگار است و در فرآیندهای تولید شما انعطاف پذیر است.
مدیریت کارآمد و کاراییطراحی شده با در نظر گرفتن کاربر،کاست نیمه هادی نیمه هادیسبک وزن و حمل آن آسان است و امکان بارگیری و تخلیه سریع و کارآمد را فراهم می کند. این طراحی ارگونومیک نه تنها باعث صرفه جویی در زمان می شود، بلکه خطر خطای انسانی را نیز کاهش می دهد و از عملکرد روان در محل شما اطمینان می دهد.
رعایت استانداردهای صنعتSemicera تضمین می کند کهکاست نیمه هادیبا بالاترین استانداردهای صنعتی برای کیفیت و قابلیت اطمینان مطابقت دارد. هر کاست تحت آزمایشهای دقیق قرار میگیرد تا تضمین کند که تحت شرایط سخت تولید نیمهرسانا بهطور مداوم عمل میکند. این تعهد به کیفیت تضمین می کند که ویفرهای شما همیشه محافظت می شوند و استانداردهای بالای مورد نیاز در صنعت را حفظ می کنند.
موارد | تولید | تحقیق کنید | ساختگی |
پارامترهای کریستال | |||
چند تایپ | 4H | ||
خطای جهت گیری سطح | <11-20 > 0.15±4 درجه | ||
پارامترهای الکتریکی | |||
دوپانت | نیتروژن نوع n | ||
مقاومت | 0.015-0.025 اهم · سانتی متر | ||
پارامترهای مکانیکی | |||
قطر | 0.2±150.0 میلی متر | ||
ضخامت | 25±350 میکرومتر | ||
جهت گیری مسطح اولیه | [1-100] ± 5 درجه | ||
طول تخت اولیه | 47.5±1.5 میلی متر | ||
آپارتمان ثانویه | هیچ کدام | ||
تی تی وی | ≤5 میکرومتر | ≤10 میکرومتر | ≤15 میکرومتر |
LTV | ≤3 میکرومتر (5mm*5mm) | ≤5 میکرومتر (5mm*5mm) | ≤10 میکرومتر (5mm*5mm) |
تعظیم | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
پیچ و تاب | ≤35 میکرومتر | ≤45 میکرومتر | ≤55 میکرومتر |
زبری جلو (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
ساختار | |||
تراکم میکرولوله | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
ناخالصی های فلزی | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
کیفیت جلو | |||
جلو | Si | ||
پرداخت سطح | سی فیس CMP | ||
ذرات | ≤60ea/ویفر (اندازه≥0.3μm) | NA | |
خراش | ≤5ea/mm. طول تجمعی ≤قطر | طول تجمعی≤2*قطر | NA |
پوست پرتقال / حفره / لکه / مخطط / ترک / آلودگی | هیچ کدام | NA | |
تراشه های لبه / فرورفتگی / شکستگی / صفحات شش گوش | هیچ کدام | ||
نواحی پلی تایپ | هیچ کدام | سطح تجمعی ≤20٪ | سطح تجمعی≤30٪ |
علامت گذاری لیزری جلو | هیچ کدام | ||
کیفیت برگشت | |||
پایان پشت | C-face CMP | ||
خراش | ≤5ea/mm، طول تجمعی≤2*قطر | NA | |
عیوب پشت (تراشه های لبه / فرورفتگی) | هیچ کدام | ||
زبری پشت | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
علامت گذاری لیزری پشت | 1 میلی متر (از لبه بالا) | ||
لبه | |||
لبه | چمفر | ||
بسته بندی | |||
بسته بندی | Epi-ready با بسته بندی وکیوم بسته بندی کاست چند ویفر | ||
*نکته: "NA" به معنای عدم درخواست است موارد ذکر نشده ممکن است به SEMI-STD اشاره داشته باشند. |