زیرلایه Si توسط Semicera یک جزء ضروری در تولید دستگاه های نیمه هادی با کارایی بالا است. این بستر که از سیلیکون با خلوص بالا (Si) طراحی شده است، یکنواختی، پایداری و رسانایی عالی را ارائه می‌کند و آن را برای طیف گسترده‌ای از کاربردهای پیشرفته در صنعت نیمه‌رساناها ایده‌آل می‌کند. چه در تولید ویفر Si، بستر SiC، ویفر SOI یا زیرلایه SiN استفاده شود، زیرلایه Semicera Si کیفیت ثابت و عملکرد برتر را برای برآورده کردن نیازهای روزافزون علم الکترونیک و مواد مدرن ارائه می دهد.
عملکرد بی نظیر با خلوص و دقت بالا
زیرلایه Si Semicera با استفاده از فرآیندهای پیشرفته ای تولید می شود که خلوص بالا و کنترل ابعادی دقیق را تضمین می کند. این بستر به عنوان پایه ای برای تولید انواع مواد با کارایی بالا، از جمله ویفرهای Epi-Wafers و AlN Wafers عمل می کند. دقت و یکنواختی زیرلایه Si، آن را به انتخابی عالی برای ایجاد لایه های لایه نازک همپایی و سایر اجزای حیاتی مورد استفاده در تولید نیمه هادی های نسل بعدی تبدیل می کند. چه با گالیوم اکسید (Ga2O3) یا سایر مواد پیشرفته کار می کنید، بستر Si Semicera بالاترین سطح اطمینان و عملکرد را تضمین می کند.
کاربرد در ساخت نیمه هادی
در صنعت نیمه هادی، بستر Si از Semicera در طیف گسترده ای از کاربردها، از جمله تولید سی ویفر و زیرلایه SiC استفاده می شود، جایی که پایه ای پایدار و قابل اعتماد برای رسوب لایه های فعال فراهم می کند. این بستر نقش مهمی در ساخت ویفرهای SOI (عایق سیلیکونی) دارد که برای میکروالکترونیک پیشرفته و مدارهای مجتمع ضروری است. علاوه بر این، ویفرهای Epi-Wafer (ویفرهای همپای) ساخته شده بر روی بسترهای Si در تولید دستگاه های نیمه هادی با کارایی بالا مانند ترانزیستورهای قدرت، دیودها و مدارهای مجتمع یکپارچه هستند.
زیرلایه Si همچنین از ساخت دستگاه‌هایی با استفاده از اکسید گالیوم (Ga2O3) پشتیبانی می‌کند، یک ماده امیدوارکننده با فاصله باند گسترده که برای کاربردهای پرقدرت در الکترونیک قدرت استفاده می‌شود. علاوه بر این، سازگاری زیرلایه Si Semicera با ویفرهای AlN و سایر بسترهای پیشرفته تضمین می کند که می تواند نیازهای متنوع صنایع پیشرفته را برآورده کند و آن را به یک راه حل ایده آل برای تولید دستگاه های پیشرفته در بخش های مخابراتی، خودروسازی و صنعتی تبدیل می کند. .
کیفیت قابل اعتماد و ثابت برای برنامه های کاربردی با تکنولوژی بالا
زیرلایه Si توسط Semicera به دقت مهندسی شده است تا نیازهای دقیق ساخت نیمه هادی ها را برآورده کند. یکپارچگی ساختاری استثنایی و خواص سطحی با کیفیت بالا، آن را به ماده ایده‌آلی برای استفاده در سیستم‌های کاست برای انتقال ویفر و همچنین برای ایجاد لایه‌های با دقت بالا در دستگاه‌های نیمه‌رسانا تبدیل می‌کند. توانایی زیرلایه برای حفظ کیفیت ثابت در شرایط مختلف فرآیند، حداقل نقص را تضمین می‌کند و بازده و عملکرد محصول نهایی را افزایش می‌دهد.
زیرلایه Si Semicera با هدایت حرارتی برتر، استحکام مکانیکی و خلوص بالا، ماده انتخابی برای تولیدکنندگانی است که به دنبال دستیابی به بالاترین استانداردهای دقت، قابلیت اطمینان و عملکرد در تولید نیمه هادی هستند.
بستر Si Semicera را برای راه حل های با خلوص و کارایی بالا انتخاب کنید
برای تولیدکنندگان در صنعت نیمه هادی، بستر Si از Semicera یک راه حل قوی و با کیفیت بالا برای طیف گسترده ای از کاربردها، از تولید سی ویفر گرفته تا ایجاد ویفرهای Epi-Wafer و SOI ارائه می دهد. این بستر با خلوص، دقت و قابلیت اطمینان بی نظیر، تولید دستگاه های نیمه هادی پیشرفته را امکان پذیر می کند و عملکرد طولانی مدت و کارایی مطلوب را تضمین می کند. Semicera را برای نیازهای زیرلایه Si خود انتخاب کنید و به محصولی که برای پاسخگویی به نیازهای فناوری های فردا طراحی شده است اعتماد کنید.
| موارد | تولید | تحقیق کنید | ساختگی |
| پارامترهای کریستال | |||
| چند تایپ | 4H | ||
| خطای جهت گیری سطح | <11-20 > 0.15±4 درجه | ||
| پارامترهای الکتریکی | |||
| دوپانت | نیتروژن نوع n | ||
| مقاومت | 0.015-0.025 اهم · سانتی متر | ||
| پارامترهای مکانیکی | |||
| قطر | 0.2±150.0 میلی متر | ||
| ضخامت | 25±350 میکرومتر | ||
| جهت گیری مسطح اولیه | [1-100] ± 5 درجه | ||
| طول تخت اولیه | 47.5±1.5 میلی متر | ||
| آپارتمان ثانویه | هیچ کدام | ||
| تی تی وی | ≤5 میکرومتر | ≤10 میکرومتر | ≤15 میکرومتر |
| LTV | ≤3 میکرومتر (5mm*5mm) | ≤5 میکرومتر (5mm*5mm) | ≤10 میکرومتر (5mm*5mm) |
| تعظیم | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| پیچ و تاب | ≤35 میکرومتر | ≤45 میکرومتر | ≤55 میکرومتر |
| زبری جلو (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| ساختار | |||
| تراکم میکرولوله | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| ناخالصی های فلزی | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| کیفیت جلو | |||
| جلو | Si | ||
| پرداخت سطح | سی فیس CMP | ||
| ذرات | ≤60ea/ویفر (اندازه≥0.3μm) | NA | |
| خراش | ≤5ea/mm. طول تجمعی ≤قطر | طول تجمعی≤2*قطر | NA |
| پوست پرتقال / حفره / لکه / مخطط / ترک / آلودگی | هیچ کدام | NA | |
| تراشه های لبه / فرورفتگی / شکستگی / صفحات شش گوش | هیچ کدام | ||
| نواحی پلی تایپ | هیچ کدام | سطح تجمعی ≤20٪ | سطح تجمعی≤30٪ |
| علامت گذاری لیزری جلو | هیچ کدام | ||
| کیفیت برگشت | |||
| پایان پشت | C-face CMP | ||
| خراش | ≤5ea/mm، طول تجمعی≤2*قطر | NA | |
| عیوب پشت (تراشه های لبه / فرورفتگی) | هیچ کدام | ||
| زبری پشت | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| علامت گذاری لیزری پشت | 1 میلی متر (از لبه بالا) | ||
| لبه | |||
| لبه | چمفر | ||
| بسته بندی | |||
| بسته بندی | Epi-ready با بسته بندی وکیوم بسته بندی کاست چند ویفر | ||
| *نکته: "NA" به معنای عدم درخواست است موارد ذکر نشده ممکن است به SEMI-STD اشاره داشته باشند. | |||
