توضیحات
MOCVD Susceptor for Epitaxial Growth by semicera، راه حلی پیشرو که برای بهینه سازی فرآیند رشد همپایی برای کاربردهای نیمه هادی پیشرفته طراحی شده است. Semicera's MOCVD Susceptor کنترل دقیق دما و رسوب مواد را تضمین می کند و آن را به انتخابی ایده آل برای دستیابی به Si Epitaxy و SiC Epitaxy با کیفیت بالا تبدیل می کند. ساختار مستحکم و رسانایی حرارتی بالا عملکرد ثابتی را در محیط‌های پرتقاضا ممکن می‌سازد و اطمینان لازم برای سیستم‌های رشد همپایه را تضمین می‌کند.
این MOCVD Susceptor با کاربردهای مختلف اپیتاکسیال، از جمله تولید سیلیکون مونوکریستال و رشد GaN در SiC Epitaxy سازگار است، و آن را به یک جزء ضروری برای تولیدکنندگانی تبدیل می‌کند که به دنبال نتایج عالی هستند. علاوه بر این، با سیستم‌های PSS Etching Carrier، ICP Etching Carrier و RTP Carrier یکپارچه کار می‌کند و کارایی و بازده فرآیند را افزایش می‌دهد. سوسپتور همچنین برای کاربردهای LED Epitaxial Susceptor و سایر فرآیندهای پیشرفته تولید نیمه هادی مناسب است.
با طراحی همه کاره خود، گیره MOCVD semicera را می توان برای استفاده در پنکیک و گیره های بشکه ای تطبیق داد و انعطاف پذیری را در تنظیمات مختلف تولید ارائه می دهد. ادغام قطعات فتوولتائیک کاربرد آن را بیشتر گسترش می دهد و آن را برای صنایع نیمه هادی و خورشیدی ایده آل می کند. این محلول با کارایی بالا، پایداری حرارتی و دوام عالی را ارائه می‌کند و کارایی طولانی‌مدت را در فرآیندهای رشد اپیتاکسیال تضمین می‌کند.
ویژگی های اصلی
1. گرافیت با پوشش SiC با خلوص بالا
2. مقاومت حرارتی برتر و یکنواختی حرارتی
3. کریستال SiC ریز پوشش داده شده برای یک سطح صاف
4. دوام بالا در برابر تمیز کردن شیمیایی
مشخصات اصلی پوشش های CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| تراکم | (g/cc) | 3.21 |
| استحکام خمشی | (Mpa) | 470 |
| انبساط حرارتی | (10-6/K) | 4 |
| هدایت حرارتی | (W/mK) | 300 |
بسته بندی و حمل و نقل
توانایی تامین:
10000 قطعه/قطعه در ماه
بسته بندی و تحویل:
بسته بندی: بسته بندی استاندارد و قوی
کیسه پلی + جعبه + کارتن + پالت
بندر:
نینگبو / شنژن / شانگهای
زمان تحویل:
| مقدار (قطعه) | 1 - 1000 | > 1000 |
| برآورد زمان (روز) | 30 | مورد مذاکره قرار گیرد |
