فرآیند پوشش داده شده SiC برای حامل های گرافیت با پوشش SiC با پایه گرافیتی

ما هنگام استفاده از تلرانس های بسیار نزدیک را حفظ می کنیمپوشش SiC، با استفاده از ماشینکاری با دقت بالا برای اطمینان از نمایه یکنواخت گیرنده.ما همچنین موادی با خواص مقاومت الکتریکی ایده آل برای استفاده در سیستم های گرمایش القایی تولید می کنیم.تمام اجزای نهایی دارای گواهی خلوص و انطباق ابعادی هستند.

شرکت ما فراهم می کندپوشش SiCخدمات پردازش به روش CVD بر روی سطح گرافیت، سرامیک و سایر مواد، به طوری که گازهای ویژه حاوی کربن و سیلیکون در دمای بالا واکنش می دهند تا مولکول های SiC با خلوص بالا به دست آید، مولکول هایی که روی سطح مواد پوشش داده شده رسوب کرده و لایه محافظ SIC را تشکیل می دهند.SIC تشکیل شده محکم به پایه گرافیت متصل می شود و به پایه گرافیت خواص ویژه ای می بخشد، بنابراین سطح گرافیت را فشرده، بدون تخلخل، مقاومت در برابر دمای بالا، مقاومت در برابر خوردگی و مقاومت در برابر اکسیداسیون می کند.

فرآیند CVD خلوص بسیار بالا و چگالی نظری را ارائه می دهدپوشش SiCبدون تخلخلعلاوه بر این، از آنجایی که کاربید سیلیکون بسیار سخت است، می توان آن را به سطحی آینه مانند پرداخت کرد.پوشش کاربید سیلیکون CVD (SiC).چندین مزیت از جمله سطح خلوص فوق العاده بالا و دوام بسیار سایش را ارائه می دهد.از آنجایی که محصولات پوشش داده شده عملکرد عالی در شرایط خلاء و دمای بالا دارند، برای کاربرد در صنایع نیمه هادی و سایر محیط های فوق العاده تمیز ایده آل هستند.ما همچنین محصولات گرافیت پیرولیتیک (PG) را ارائه می دهیم.