مواد تک کریستالی کاربید سیلیکون (SiC) دارای عرض باند بزرگ (~Si 3 برابر)، رسانایی حرارتی بالا (~Si 3.3 برابر یا GaAs 10 برابر)، نرخ مهاجرت اشباع الکترون بالا (~Si 2.5 برابر)، الکتریکی شکست بالا. میدان (~Si 10 بار یا GaAs 5 بار) و سایر ویژگی های برجسته.
دستگاه های SiC دارای مزایای بی بدیل در زمینه دماهای بالا، فشار بالا، فرکانس بالا، دستگاه های الکترونیکی با قدرت بالا و کاربردهای شدید محیطی مانند هوافضا، نظامی، انرژی هسته ای و غیره هستند که در عمل عیوب دستگاه های نیمه هادی سنتی را جبران می کند. برنامه های کاربردی، و به تدریج در حال تبدیل شدن به جریان اصلی نیمه هادی های قدرت هستند.
مشخصات زیرلایه کاربید سیلیکون 4H-SiC
| مورد 项目 | مشخصات 参数 | |
| چند تایپ | 4H -SiC | 6H- SiC |
| قطر | 2 اینچ | 3 اینچ | 4 اینچ | 6 اینچ | 2 اینچ | 3 اینچ | 4 اینچ | 6 اینچ |
| ضخامت | 330 میکرومتر تا 350 میکرومتر | 330 میکرومتر تا 350 میکرومتر |
| رسانایی | N – نوع / نیمه عایق | N – نوع / نیمه عایق |
| دوپانت | N2 (نیتروژن) V (وانادیوم) | N2 (نیتروژن) V (وانادیوم) |
| جهت گیری | در محور <0001> | در محور <0001> |
| مقاومت | 0.015 ~ 0.03 اهم سانتی متر | 0.02 ~ 0.1 اهم سانتی متر |
| تراکم میکرولوله (MPD) | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 |
| تی تی وی | ≤ 15 میکرومتر | ≤ 15 میکرومتر |
| کمان / تار | ≤25 میکرومتر | ≤25 میکرومتر |
| سطح | DSP/SSP | DSP/SSP |
| درجه | درجه تولید / تحقیق | درجه تولید / تحقیق |
| توالی چیدن کریستال | ABCB | ABCABC |
| پارامتر شبکه | a=3.076A، c=10.053A | a=3.073A، c=15.117A |
| Eg/eV (Band-gap) | 3.27 ولت | 3.02 eV |
| ε (ثابت دی الکتریک) | 9.6 | 9.66 |
| ضریب شکست | n0 = 2.719 ne = 2.777 | n0 = 2.707، ne = 2.755 |
مشخصات زیرلایه سیلیکون کاربید 6H-SiC
| مورد 项目 | مشخصات 参数 |
| چند تایپ | 6H-SiC |
| قطر | 4 اینچ | 6 اینچ |
| ضخامت | 350μm ~ 450μm |
| رسانایی | N – نوع / نیمه عایق |
| دوپانت | N2 (نیتروژن) |
| جهت گیری | <0001> کاهش 4°±0.5° |
| مقاومت | 0.02 ~ 0.1 اهم سانتی متر |
| تراکم میکرولوله (MPD) | ≤ 10/cm2 |
| تی تی وی | ≤ 15 میکرومتر |
| کمان / تار | ≤25 میکرومتر |
| سطح | Si Face: CMP، Epi-Ready |
| درجه | نمره تحقیق |
